Disposición de transistores de efecto de campo, métodos para hacer y usar una disposición de transistores de efecto de campo y un programa informático asociado.

Un aparato (300, 500, 800, 900) que comprende una disposicion de transistores de efecto de campo (302a-d,

502ad, 802a-d, 902a-h),

comprendiendo cada transistor de efecto de campo un canal, una fuente (308a-d, 508a-d, 808a-d, 908a-h) y electrodos de drenaje (304a-d, 504a-d, 804a-d, 904a-h) configurados para permitir un flujo de corriente electrica a traves del canal y un electrodo de la puerta (306a-d, 506a-d, 806a-d, 906a-h) configurado para permitir que se varie el flujo de corriente electrica, el electrodo de la puerta separado del canal por un material dielectrico configurado para inhibir un flujo de corriente electrica entre el canal y el electrodo de la puerta, en donde el electrodo de la puerta de cada transistor de efecto de campo esta conectado en paralelo a los electrodos de la puerta de los otros transistores de efecto de campo en la disposicion y a un terminal de la puerta comun (314, 514, 814a-b, 914a-b), y

en donde, para cada transistor de efecto de campo, un componente de limitacion de corriente de dos terminales (316a-d, 516a-d, 816a-d, 906a-h) respectivo esta acoplado entre un electrodo de la puerta respectivo y el terminal de la puerta comun de manera que, en el caso de que un defecto en el material dielectrico de un transistor de efecto de campo particular permita que fluya una corriente de fuga de la puerta entre el canal y el electrodo de la puerta de ese transistor de efecto de campo, el componente de limitacion de corriente respectivo de dos terminales limita la magnitud de la corriente de fuga de la puerta a un nivel predeterminado de modo que los otros transistores de efecto de campo en la disposicion no se vean afectados sustancialmente por la corriente de fuga de la puerta.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16166037.

Solicitante: Nokia Technologies OY.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: Karakaari 7 02610 Espoo FINLANDIA.

Inventor/es: VOUTILAINEN,MARTTI KALEVI, ALLEN,MARK LEE, KALLIOINEN,SAMI SEPPO ANTERO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H04N5/367 SECCION H — ELECTRICIDAD.H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS.H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (detalles de la exploración o su combinación con la producción de las tensiones de alimentación H04N 3/00; adaptados especialmente para la televisión en color H04N 9/00; servidores especialmente adaptados para la distribución de contenido H04N 21/20; Dispositivos de cliente específicamente adaptados para la recepción de, o interacción con, contenidos H04N 21/40). › aplicado a defectos, p. ej. pixeles que no receptivos.
  • H04N5/374 H04N 5/00 […] › Dirigido a sensores, p. ej. MOS o sensores CMOS.

PDF original: ES-2729497_T3.pdf

 

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