Dispositivo y procedimiento para detectar el estado de un dispositivo de protección frente a sobrecargas y sobrecorrientes.
Dispositivo para detectar un estado de un dispositivo de protección frente a sobrecorrientes de carga,
que comprende:
un módulo de entrada (22), configurado para ser conectado con dos extremos del dispositivo de protección frente a sobrecorrientes de carga, y generar dos señales de salida, respectivamente, en dos extremos de salida del mismo;
un módulo de activación de señal de alto nivel (24), configurado para recibir las dos señales de salida generadas por el módulo de entrada (22), y activar y emitir una señal de alto nivel según las dos señales de salida; un módulo de activación de señal de bajo nivel (26), configurado para recibir las dos señales de salida generadas por el módulo de entrada (22) y activar y emitir una señal de bajo nivel según las dos señales de salida;
o,
un módulo de generación de señal de alto nivel, configurado para recibir las dos señales de salida generadas por el módulo de entrada (22), y generar una señal de alto nivel según las dos señales de salida; un módulo de generación de señal de bajo nivel, configurado para recibir las dos señales de salida generadas por el módulo de entrada (22), y generar una señal de bajo nivel según las dos señales de salida; y
un módulo de detección (28), configurado para detectar una diferencia de tensión entre la señal de alto nivel y la señal de bajo nivel; caracterizado por:
el módulo de activación de señal de alto nivel (24) comprende una primera resistencia (R6), una segunda resistencia (R7), una tercera resistencia (R8), una cuarta resistencia (R9), un primer transistor PNP (T2) y un segundo transistor PNP (T3), estando conectadas la primera resistencia (R6) y la tercera resistencia (R8) a los dos extremos de salida del módulo de entrada (22), respectivamente, estando conectados los emisores del primer transistor PNP (T2) y del segundo transistor PNP (T3) a través de la primera resistencia (R6) y de la tercera resistencia (R8), estando conectadas las bases de manera directa y estando conectadas a la primera resistencia (R6) y a la tercera resistencia (R8), y estando conectados los colectores a un extremo del módulo de detección (28) a través de la segunda resistencia (R7) y de la cuarta resistencia (R9), respectivamente; y
el módulo de activación de señal de bajo nivel (26) comprende una primera resistencia (R10), una segunda resistencia (R11), una tercera resistencia (R12), una cuarta resistencia (R13), un primer transistor NPN (T4), y un segundo transistor NPN (T5), estando conectadas la primera resistencia (R10) y la tercera resistencia (R12) a los dos extremos de salida del módulo de entrada (22), respectivamente, estando conectados los emisores del primer transistor NPN (T4) y del segundo transistor NPN (T5) a través de la primera resistencia (R10) y de la tercera resistencia (R12), estando conectadas las bases de manera directa y estando conectadas a la primera resistencia (R10) y a la tercera resistencia (R12), y estando conectados los colectores a otro extremo del módulo de detección (28) a través de la segunda resistencia (R11) y de la cuarta resistencia (R13), respectivamente;
el módulo de generación de señal de alto nivel comprende una primera resistencia (R14), una segunda resistencia (R15), un relé (K1) y una fuente de alimentación (V1), estando conectado un extremo de la primera resistencia (R14) a un extremo de salida del módulo de entrada (22), y estando conectado otro extremo al relé (K1); estando conectado un extremo del relé (K1) a un extremo de la primera resistencia (R14), y estando conectado otro extremo a otro extremo de salida del módulo de entrada (22); y estando conectado un polo positivo de la fuente de alimentación (V1) a un extremo del módulo de detección (28) a través de un contactor del relé (K1) y de la segunda resistencia (R15); y
el módulo de generación de señal de bajo nivel comprende una primera resistencia (R16), una segunda resistencia (R17), un relé (K2) y una fuente de alimentación (V1), estando conectado un extremo de la primera resistencia (R16) a un extremo de salida del módulo de entrada (22), y estando conectado otro extremo al relé (K2); estando conectado un extremo del relé (K2) a un extremo de la primera resistencia (R16), y estando conectado otro extremo a otro extremo de salida del módulo de entrada (22); y estando conectado un polo negativo de la fuente de alimentación (V1) a otro extremo del módulo de detección (28) a través de un contactor del relé (K2) y de la segunda resistencia (R17).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CN2011/079119.
Solicitante: ZTE CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: China.
Dirección: ZTE PLAZA, KEJI ROAD SOUTH, HI-TECH INDUSTRIAL PARK, NANSHAN DISTRICT SHENZHEN, GUANGDONG 518057 CHINA.
Inventor/es: LI, LIN, ZHOU,BAOHANG, LIU,MINGMING, MENG,YANNI, TENG,LINGQIAO, WEI,SHUWANG, RONG,HUI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R19/10 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 19/00 Disposiciones para proceder a las medidas de corrientes o tensión o para indicar su existencia o el signo (G01R 5/00 tiene prioridad; para la medida de corrientes o tensiones bioeléctricas A61B 5/24). › Medida de una suma, diferencia o relación.
- G01R31/327 G01R […] › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de interruptores de circuito, de interruptores o de disyuntores.
PDF original: ES-2728904_T3.pdf
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