Cuerpo con composición limitadora de la tensión.
Cuerpo (K1; K2; K3) con una características de varistor para un descargador de sobretensión,
en particular en instalaciones de media tensión, instalaciones de baja tensión, conexiones por cable y terminales de cable y que presenta una composición limitadora de la tensión (1), que presenta una matriz polimérica (2) y
- un material de relleno (4) en forma de partículas, que contiene un material parcialmente conductor (5), en el que
- el material parcialmente conductor (5) está aplicado sobre un material de sustrato (6) que no conduce eléctricamente y
- el material de sustrato (6) tiene una densidad inferior a la del material parcialmente conductor (5)
- en el que el material de relleno con forma de partículas formado por el material parcialmente conductor (5) y el material de sustrato (6) presenta una anchura entre 5 micrómetros y 70 micrómetros con un grosor entre 300 nanómetros y 600 nanómetros.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2012/063811.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Inventor/es: LANG, STEFFEN, GRÖPPEL,PETER.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C08K9/02 QUIMICA; METALURGIA. › C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES. › C08K UTILIZACION DE SUSTANCIAS INORGANICAS U ORGANICAS NO MACROMOLECULARES COMO INGREDIENTES DE LA COMPOSICION (colorantes, pinturas, pulimentos, resinas naturales, adhesivos C09). › C08K 9/00 Utilización de ingredientes pretratados (utilización de materiales fibrosos pretratados para la fabricación de artículos o modelado de materiales que contienen sustancias macromoleculares C08J 5/06). › Ingredientes tratados con sustancias inorgánicas.
- H01C7/108 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01C RESISTENCIAS. › H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › de óxido metálico.
- H01C7/112 H01C 7/00 […] › del tipo ZnO.
PDF original: ES-2707575_T3.pdf
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