Diodo láser semiconductor.
Un diodo láser semiconductor (200), comprendiendo el diodo láser semiconductor (200):
un sustrato (202), estando formado el sustrato (202) a partir de una primera pluralidad seleccionada de materiales que es arseniuro de galio (GaAs);
una capa semiconductora de tipo n (204), estando formada la capa semiconductora de tipo n (204) a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una segunda pluralidad de materiales;
una capa semiconductora de tipo p (206), estando formada la capa semiconductora de tipo p (206) a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una tercera pluralidad de materiales, siendo la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo p (206) diferente de la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo n (204); y
uno o más pozos cuánticos (208a, 208b), estando dispuestos los uno o más pozos cuánticos (208a, 208b) entre la capa semiconductora de tipo n (204) y la capa semiconductora de tipo p (206), estando formados los uno o más pozos cuánticos (208a, 208b) a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una cuarta pluralidad de materiales,
en el que:
la capa semiconductora de tipo n (204) y la capa semiconductora de tipo p (206) forman una guía de ondas para la luz láser emitida en uno o más pozos cuánticos (208a, 208b);
la segunda pluralidad seleccionada de materiales tiene un desplazamiento de banda de conducción menor que un desplazamiento de banda de conducción de la tercera pluralidad seleccionada de materiales y la tercera pluralidad seleccionada de materiales tiene un desplazamiento de banda de valencia menor que un desplazamiento de banda de valencia de la segunda pluralidad seleccionada de materiales, estando calculados la banda de conducción y los desplazamientos de la banda de valencia en relación con las energías de banda respectivas del arseniuro de galio (GaAs).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2005/036360.
Solicitante: Compound Photonics U.S. Corporation.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 300 North 56th Street Chandler, AZ 85226 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: KANSKAR,MANOJ, EARLES,THOMAS, STIERS,ERIC.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › Disposiciones para el control térmico.
- H01S5/00 H01S […] › Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
- H01S5/20 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Estructura o forma del cuerpo semiconductor para guiar la onda óptica.
PDF original: ES-2675150_T3.pdf
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