Láser de diodos de alta potencia y procedimiento para la fabricación de un láser de diodos de alta potencia.
Láser de diodos de alta potencia con facetas opuestas entre sí,
que están construidas respectivamente de un sistema de capas (26, 28) que comprende varias capas amorfas (22, 24) compuestas de silicio y carbono, que contiene tanto una capa de pasivación (22) como también varias capas funcionales (24) que determinan la reflexión, donde los índices de refracción de la capa de pasivación (22) y de las capas funcionales (24) están ajustados a través de un contenido de carbono variable.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E10173278.
Solicitante: Dilas Diodenlaser GmbH.
Inventor/es: KELEMEN,MARC, MORITZ,RUDOLF, GILLY,JÜRGEN, FRIEDMANN,PATRICK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
- H01S5/02 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.
- H01S5/028 H01S 5/00 […] › Revestimientos.
PDF original: ES-2733806_T3.pdf
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