Composición de polímero semiconductor.

Un proceso para preparar una composición de polímero semiconductor,

que comprende las etapas de

i) introducir 30-90% en peso de un componente polímero y 0-8% en peso de aditivos en un dispositivo mezclador y mezclar el componente polímero y los aditivos a temperatura elevada de tal manera que se obtiene un fundido polimérico, cuyo componente polímero es un polietileno de baja densidad (PEBD) que tiene al menos un comonómero polar;

ii) añadir del 10 al 60% en peso de negro de carbono a fundido polimérico y mezclar adicionalmente el fundido polimérico, cuyo negro de carbono tiene un índice de adsorción de yodo de 130 hasta 300 g/kg, en el que el negro de carbono se añade al polímero fundido en al menos dos etapas de adición subsiguientes, de manera que una capa semiconductora de un cable de energía obtenido por extrusión o coextrusión de dicha composición de polímero semiconductor comprende, cuando se mide de acuerdo con el método de Análisis de Suavidad de la Superficie (SSA), usando una muestra de cinta preparada por extrusión de dicha composición de polímero semiconductor, utilizando una extrusora de husillo único (20 mm), una velocidad del husillo de 50 rpm y una abertura de matriz de la extrusora de 30 mm x 1 mm, teniendo la muestra de cinta un espesor de 500 ± 20 μm y una anchura de 18 mm, en cuyo método un área de medición de 1 m2 de la superficie de la cinta se escanea con una cámara mientras la cinta se mueve a una velocidad de 50 mm/s,

- menos de 23 partículas, preferiblemente menos de 20, más preferiblemente menos de 15, incluso más preferiblemente menos de 10, lo más preferiblemente menos de 8 por m2 con una anchura de más de 150 μm a media altura de dicha partícula que sobresalga de la superficie de la muestra de cinta; y

- menos de 10 partículas, preferiblemente menos de 8, más preferiblemente menos de 5, lo más preferiblemente menos de 3 por m2 con una anchura de más de 200 μm a la mitad de altura de dicha partícula que sobresalga de la superficie de la muestra de cinta; y preferiblemente

- 0 partículas por m2 con una anchura de más de 500 μm a la mitad de altura de dicha partícula que sobresalga de la superficie de la muestra de cinta.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2008/008926.

Solicitante: BOREALIS TECHNOLOGY OY.

Inventor/es: NOYENS,KOENRAAD, DE VLEESSCHAUER,MARC.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C08J3/20 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES.C08J PRODUCCION; PROCESOS GENERALES PARA FORMAR MEZCLAS; TRATAMIENTO POSTERIOR NO CUBIERTO POR LAS SUBCLASES C08B, C08C, C08F, C08G o C08H (trabajo, p. ej. conformado, de plásticos B29). › C08J 3/00 Procesos para el tratamiento de sustancias macromoleculares o la formación de mezclas. › Mezcla de polímeros con aditivos, p. ej. coloración.
  • C08K3/04 C08 […] › C08K UTILIZACION DE SUSTANCIAS INORGANICAS U ORGANICAS NO MACROMOLECULARES COMO INGREDIENTES DE LA COMPOSICION (colorantes, pinturas, pulimentos, resinas naturales, adhesivos C09). › C08K 3/00 Utilización de ingredientes inorgánicos. › Carbono.
  • H01B1/24 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01B CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS (empleo por las propiedades magnéticas H01F 1/00; guías de ondas H01P). › H01B 1/00 Conductores o cuerpos conductores caracterizados por los materiales conductores utilizados; Empleo de materiales específicos como conductores (conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores caracterizados por los materiales utilizados H01B 12/00). › el material conductor contiene composiciones a base de carbono-silicio, de carbono o de silicio.

PDF original: ES-2623327_T3.pdf

 

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