Sistema y procedimiento para reducir el uso de energía de una memoria de contenido direccionable.

Un procedimiento, que comprende:

recibir una instrucción para consultar una entrada en una memoria de contenido direccionable (102);



determinar, en un controlador (120), cuándo existen datos válidos en al menos un banco de la memoria de contenido direccionable (102) en base al menos a una entrada (115) que representa el al menos un banco, en el que cada banco de la memoria de contenido direccionable (102) comprende múltiples filas de datos almacenados en la memoria de contenido direccionable (102), y en el que la al menos una entrada se forma por un OR lógico de bits de datos válidos (112) asociados a cada una de las filas del banco, en el que los bits de datos válidos (112) indican si existen datos válidos en las filas correspondientes de las múltiples filas de un banco; e

implementar una técnica de gestión de potencia cuando no existen datos válidos en el al menos un banco, en el que la técnica de gestión de potencia comprende reducir el consumo de energía de al menos un banco que no tiene ningún dato válido, y

caracterizado por desplazar selectivamente una fila de datos de la memoria de contenido direccionable (202) que tiene datos válidos de un primer banco a un segundo banco; y

reducir la potencia para el primer banco cuando no existen datos válidos en el primer banco.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2011/048892.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: SHEN, JIAN, HOANG,DANG D, BASSETT,PAUL D.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C15/04 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 15/00 Memorias digitales en las que la información, que tiene una o más partes características, es escrita en la memoria o es leída por medio de la búsqueda de una o varias de estas partes características, es decir, memorias asociativas o memorias direccionable por su contenido (en las que la información es dirigida a un lugar específico G11C 11/00). › que utilizan elementos semiconductores.

PDF original: ES-2583328_T3.pdf

 

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