Fotomezclador para la generación de radiación de terahercios.
Fotomezclador para la generación de radiación de terahercios que incluye un fotodetector (PHD) acoplado a una antena (AT) para radiación de terahercios,
caracterizado por que el fotodetector incluye una capa (CE) de material fotoconductor susceptible de absorber una radiación óptica, presentando dicha capa un espesor (e) inferior a la longitud de absorción de esta radiación por parte del material fotoconductor y estando comprendida entre un electrodo (ES), llamado superior, al menos parcialmente transparente, y un electrodo (EI), llamado inferior, reflectante, conformando dichos electrodos inferior y superior una cavidad resonante para dicha radiación óptica.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2010/000600.
Solicitante: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 3, RUE MICHEL-ANGE 75016 PARIS FRANCIA.
Inventor/es: PEYTAVIT,EMILIEN, LAMPIN,JEAN-FRANÇOIS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N22/00 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › Investigación o análisis de materiales por la utilización de microondas (G01N 3/00 - G01N 17/00, G01N 24/00 tienen prioridad).
- H01L31/0232 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo (H01L 31/0236 tiene prioridad; para las células fotovoltaicas H01L 31/054; para módulos fotovoltaicos H02S 40/20).
- H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/09 H01L 31/00 […] › Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta (H01L 31/101 tiene prioridad).
PDF original: ES-2561657_T3.pdf
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