Procedimiento de fabricación de un material termoeléctrico.
Procedimiento de fabricación de un material termoeléctrico que comprende las etapas siguientes:
- preparar un polvo a partir de una aleación termoeléctrica por lo menos binaria (AxB1-x) destinada a servir de matriz;
- mezclar el polvo con nano partículas de metal puro (M) destinadas a formar inclusiones en el interior de la matriz;
- someter la mezcla a una etapa de sinterizado a una temperatura adaptada comprendida entre la temperatura que permite lograr el 90% de la densificación máxima y la temperatura de fusión del metal M y de la aleación (AxB1-x), en el transcurso del cual inclusiones nanométricas de composición MaAb y/oMaBb se forman en el interior de la matriz.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2013/051237.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Inventor/es: MINGO BISQUERT,NATALIO, NAVONE,CHRISTELLE, SOULIER,MATHIEU, MARINOVA-ATANAS,MAYA, NERI,AMANDINE.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B22F3/105 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B22 FUNDICION; METALURGIA DE POLVOS METALICOS. › B22F TRABAJO DE POLVOS METALICOS; FABRICACION DE OBJETOS A PARTIR DE POLVOS METALICOS; FABRICACION DE POLVOS METALICOS (fabricación de aleaciones mediante metalurgia de polvos C22C ); APARATOS O DISPOSITIVOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA POLVOS METALICOS. › B22F 3/00 Fabricación de piezas a partir de polvos metálicos, caracterizada por el modo de compactado o sinterizado; Aparatos especialmente concebidos para esta fabricación. › utilizando una corriente eléctrica, radiación láser o plasma (B22F 3/11 tiene prioridad).
- C22C1/04 QUIMICA; METALURGIA. › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › C22C 1/00 Fabricación de aleaciones no ferrosas (por electrotermia C22B 4/00; por electrólisis C25C). › por metalurgia de polvo (C22C 1/08 tienen prioridad).
- C22C29/18 C22C […] › C22C 29/00 Aleaciones basadas en carburos, óxidos, boruros, nitruros o siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos metálicos, p. ej. oxinitruros, sulfuros. › basadas en siliciuros.
- H01L35/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con teluro, selenio, o azufre.
- H01L35/26 H01L 35/00 […] › utilizando composiciones cambiantes de manera continua o discontinua en el interior del material.
- H01L35/34 H01L 35/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2593330_T3.pdf
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