Control de la estequiometría de las capas I-III-VI para aplicaciones fotovoltaicas a partir de condiciones de electrólisis perfeccionadas.

Procedimiento de fabricación de un compuesto I-III-VI para unas aplicaciones fotovoltaicas,

en forma de una capa fina, en la que el elemento I designa el cobre, el elemento III designa el indio y/o el galio y el elemento VI designa el azufre y/o el selenio, que comprende las etapas:

a) electrodepositar una estructura de capa fina de elementos I y/o III sobre la superficie de un electrodo (SUB), e

b) incorporar al menos un elemento VI en la estructura para obtener el compuesto I-III-VI,

caracterizado por que la etapa de electrodeposición a) incluye una operación de barrido mecánico para controlar un grosor de capa fina en menos del 3% de variación de uniformidad del grosor sobre toda la superficie del electrodo que recibe el depósito,

por que la operación de barrido mecánico emplea al menos dos agitadores de baño de electrólisis delante de la superficie del electrodo, teniendo los dos agitadores unos movimientos en fase, rectilíneos y de vaivén paralelamente a la superficie del electrodo, con una misma velocidad y una misma amplitud,

y por que, teniendo cada agitador un grosor predeterminado y estando los agitadores separados una distancia predeterminada, la amplitud de movimiento de cada agitador es superior a la distancia entre los agitadores menos un grosor del agitador, e inferior a dos veces la distancia entre los agitadores.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2011/052363.

Solicitante: NEXCIS.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 190 Avenue Célestin Coq 13106 Rousset FRANCIA.

Inventor/es: GRAND,PIERRE-PHILIPPE, JAIME,SALVADOR, DE GASQUET,PHILIPPE, DELIGIANNI,HARIKLIA, ROMANKIW,LUBOMYR T, VAIDYANATHAN,RAMAN, HUANG,QIANG, AHMED,SHAFAAT.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C25D21/10 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 21/00 Procedimientos para el servicio u operación de las células para revestimiento electrolítico. › Agitación de electrolitos; Desplazamiento de bastidores.
  • C25D5/10 C25D […] › C25D 5/00 Revestimientos electrolíticos caracterizados por el proceso; Pretratamiento o tratamiento posterior de las piezas. › Deposiciones con más de una capa de iguales o diferentes metales (para cojinetes C25D 7/10).
  • C25D5/50 C25D 5/00 […] › por tratamiento térmico.
  • C25D7/00 C25D […] › Deposiciones de metales por vía electrolítica caracterizadas por el objeto revestido.
  • H01L21/06 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.
  • H01L31/032 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
  • H01L31/042 H01L 31/00 […] › Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicos (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).

PDF original: ES-2565195_T3.pdf

 

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