POLIIMIDAS CON PROPIEDADES PIEZOELECTRICAS.

Poliimidas con propiedades piezoeléctricas.

La invención define poliimidas con buenas propiedades piezoeléctricas a altas temperaturas que tienen una unidad estructural repetitiva de fórmula (I):



**FIGURA**

en la que X e Y representan hidrógeno y ciano, con la condición de que cuando uno de X e Y es hidrógeno, el otro es ciano. La invención define también un procedimiento para la preparación de estas poliimidas. Igualmente define diaminas para la preparación de las mismas y un procedimiento para obtener estas diaminas. Finalmente, la invención define el uso de dichas poliimidas en una gran gama de aplicaciones industriales ya que presentan buenos valores de polarización remanente así como de estabilidad a altas temperaturas y son, además, flexibles y ligeras

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P200702046.

Solicitante: FUNDACION GAIKER
UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA
.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: VIZCAYA.

Inventor/es: GONZALO GONZALEZ,BEATRIZ, DIOS PEON,JOSE RAMON, VILAS VILELA,JOSE LUIS, LEON ISIDRO,LUIS MANUEL, BRECZEWSKI,TOMASZ, PEREZ JUBINDO,MIGUEL ANGEL, DE LA FUENTE LAVIN,MARIA ROSARIO.

Fecha de Solicitud: 23 de Julio de 2007.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 17 de Diciembre de 2009.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C07C217/90 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C07 QUIMICA ORGANICA.C07C COMPUESTOS ACICLICOS O CARBOCICLICOS (compuestos macromoleculares C08; producción de compuestos orgánicos por electrolisis   o electroforesis C25B 3/00, C25B 7/00). › C07C 217/00 Compuestos que contienen grupos amino e hidroxi eterificados unidos a la misma estructura carbonada. › estando el átomo de oxígeno de al menos uno de los grupos hidroxi eterificado unido a un átomo de carbono de un ciclo aromático de seis miembros, p. ej. éteres aminodifenílicos.
  • C08G73/10 C […] › C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES.C08G COMPUESTOS MACROMOLECULARES OBTENIDOS POR REACCIONES DISTINTAS A AQUELLAS EN LAS QUE INTERVIENEN SOLAMENTE ENLACES INSATURADOS CARBONO - CARBONO (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para sintetizar un compuesto dado o una composición dada o para la separación de isómeros ópticos a partir de una mezcla racémica C12P). › C08G 73/00 Compuestos macromoleculares obtenidos por reacciones que forman un enlace que contiene nitrógeno con o sin oxígeno o carbono en la cadena principal de la macromolécula, no previstos por los grupos C08G 12/00 - C08G 71/00. › Polimidas; Poliesterimidas; Poliamida-imidas; Acidos de poliamida o similares precursores de poliimidas.
  • H01L41/193 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Composiciones macromoleculares.

Clasificación PCT:

  • C07C217/90 C07C 217/00 […] › estando el átomo de oxígeno de al menos uno de los grupos hidroxi eterificado unido a un átomo de carbono de un ciclo aromático de seis miembros, p. ej. éteres aminodifenílicos.
  • C08G73/10 C08G 73/00 […] › Polimidas; Poliesterimidas; Poliamida-imidas; Acidos de poliamida o similares precursores de poliimidas.
  • H01L41/193 H01L 41/00 […] › Composiciones macromoleculares.
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POLIIMIDAS CON PROPIEDADES PIEZOELECTRICAS.

Fragmento de la descripción:

Poliimidas con propiedades piezoeléctricas.

Campo de la invención

La invención se refiere al campo de los materiales piezoeléctricos. En particular, la invención se refiere a nuevas poliimidas que presentan buenas propiedades piezoeléctricas a altas temperaturas y que, por tanto, pueden ser utilizadas en aplicaciones donde se requiera piezoelectricidad a temperaturas superiores a 90ºC, flexibilidad y poco peso del dispositivo piezoeléctrico.

Antecedentes de la invención

Como es bien conocido en el estado de la técnica, los materiales piezoeléctricos se utilizan ampliamente debido a su rápida respuesta electromagnética y sus requerimientos de energía relativamente bajos. Una definición clásica de piezoelectricidad, término griego para electricidad por presión, es la generación de polarización eléctrica de un material como respuesta a una tensión mecánica. Este fenómeno se conoce como efecto directo o efecto generador y se utiliza fundamentalmente para sensores. Los materiales piezoeléctricos también experimentan el efecto inverso o efecto motor, es decir, deformación mecánica por aplicación de una señal o carga eléctrica y se utiliza, principalmente, para actuadores.

La piezoelectricidad es un efecto lineal relacionado con la estructura del sólido. El origen microscópico del efecto piezoeléctrico es el desplazamiento de las cargas eléctricas dentro de la estructura del sólido.

La sal de Rochelle, obtenida en Francia en 1665 por el farmacéutico Elie Seignette para aplicaciones en medicina, es el primer material piezoeléctrico que se conoce (Busch G., Early History of Ferroelectricity. Ferroelectrics, 74, 267, (1987); y Kanzig, W., History of Ferroelectricity. Ferroelectrics, 74, 285, (1987)). La investigación sobre materiales piezoeléctricos continuó a principios del siglo XX impulsada, en parte, por los intereses militares de la Primera Guerra Mundial. Se utilizó el cuarzo piezoeléctrico en proyectores acústicos y en auriculares. Posteriormente, en la Segunda Guerra Mundial creció el interés por el estudio de los materiales piezoeléctricos para comunicaciones por radio y para aplicaciones acústicas submarinas.

A lo largo de las últimas cuatro décadas se han utilizado las cerámicas piezoeléctricas, tales como las cerámicas de titanato de zirconio y plomo (PZT). Estos materiales de tipo perovskita se caracterizan por su alto módulo elástico, su elevada constante dieléctrica, sus bajas pérdidas dieléctricas y elásticas y elevados factores de acoplamiento electro-mecánicos.

Aunque estos materiales cerámicos piezoeléctricos se han aplicado con éxito en multitud de aplicaciones, presentan un número importante de limitaciones:

- La fragilidad hace que estos materiales sean proclives a la fractura y a la propagación por grietas lo que no permite su utilización en aplicaciones en sensores de alta deformación.

- La alta densidad de los materiales cerámicos, lo que crea problemas en aplicaciones sensibles al peso del detector.

- La alta impedancia acústica de los materiales cerámicos (como una función de la densidad y de la rigidez).

- Los materiales puros de partida y los costes básicos de procesado de cerámicas piezoeléctricas son relativamente altos por unidad de volumen.

Muchas de estas limitaciones se pueden superar en aplicaciones específicas utilizando materiales piezoeléctricos poliméricos.

En 1969, Kawai et al. (Kawai, H., Jap. J. Appl. Phys., 8, 975, (1969)) desarrollaron una serie de polímeros piezoeléctricos que tenían una fuerte actividad piezoeléctrica en el intervalo de temperatura entre -40 y 90ºC, concretamente el poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) y sus copolímeros con trifluoroetileno y tetrafluoroetileno P(VDF/TrFE). En la década de los 80, Scheinbeim et al. (Newman, B.A., Chen, P., Pae, K.D., and Scheinbeim, J.I., Journal Applied Physics, 51, 5161, (1980); y Scheinbeim, J.I., Journal Applied Physics, 52, 5939, (1981)) encontraron una actividad piezoeléctrica interesante en una serie de nylons semicristalinos, si bien no se han comercializado como consecuencia, principalmente, del serio problema de absorción de humedad. Por otro lado, el PVDF, que es actualmente uno de los polímeros piezoeléctricos semicristalinos más conocidos y comercializados, pierde sus propiedades por encima de 90ºC.

La bibliografía sobre polímeros piezoeléctricos amorfos está mucho más limitada que para sistemas semicristalinos. La piezoelectricidad en polímeros amorfos difiere de la de los polímeros semicristalinos y cristales inorgánicos en que la polarización no es en un estado de equilibrio térmico, sino en un estado cuasi-estable debido a la congelación de los dipolos moleculares.

Una de las propiedades más importantes de un polímero piezoeléctrico amorfo es su temperatura de transición vítrea (Tg), ya que determina la temperatura de uso y define las condiciones del proceso de polarización. La orientación de los dipolos moleculares mediante la polarización es la responsable de la piezoelectricidad en polímeros amorfos.

Así, Broadhurst y Davis (Broadhurst, M.G., Harris, W.P., Mopsik, F.I., Malmberg, C.G., Polymer Preprint, 14, 820, (1973) establecieron cuatro criterios para considerar que un polímero amorfo o semicristalino pueda mostrar un comportamiento piezoeléctrico.

i. Deben existir dipolos permanentes en dicho polímero. Estos dipolos, generalmente, están colgados del esqueleto del polímero, aunque también pueden encontrarse dentro de la cadena principal.
ii. El segundo criterio para la piezoelectricidad es la capacidad del polímero para orientar o alinear los dipolos moleculares. Esta orientación se induce aplicando un campo eléctrico (Ep) a una temperatura elevada (Tp =q Tg) en la cual las cadenas sean lo suficientemente móviles, produciéndose así una alineación dipolar. La retención parcial de esta orientación se consigue disminuyendo la temperatura por debajo de la Tg mientras se mantiene el campo eléctrico aplicado para congelar el estado polarizado. Cuando se elimina el campo eléctrico aplicado, permanecerá una cierta polarización remanente. Esta polarización remanente resultante (Pr) es directamente proporcional al campo eléctrico aplicado y a la respuesta piezoeléctrica (Scheinbeim, J.I., Journal Applied Physics, 52, 5939, (1981)).
iii. El tercer criterio para conseguir un polímero piezoeléctrico es la capacidad para mantener la alineación dipolar una vez que se alcanza.
iv. El factor final determinante del grado de respuesta piezoeléctrica de un material polimérico es la capacidad del polímero a deformarse con la tensión mecánica aplicada.

A partir de que la polarización remanente en polímeros amorfos se pierde en las vecindades de la Tg, la utilización de estos polímeros piezoeléctricos se limita a temperaturas por debajo de la Tg.

La mayoría de los trabajos existentes en el campo de los polímeros piezoeléctricos amorfos se centra en polímeros diversos sustituidos con un grupo nitrilo como son el poliacrilonitrilo (PAN) (Newman, B.A., Chen, P., Pae, K.D., and Scheinbeim, J.I., Journal Applied Physics, 51, 5161, (1980); Scheinbeim, J.I., Journal Applied Physics, 52, 5939, (1981); Mathur, S.C., Scheinbeim, J.I., Newman, B.A. Journal Applied Physics, 56, 2419, (1984)); el poli (vinilacetato de cianuro de vinilideno) (PVDCN/VAc) (Ueda, H., Carr, S.H., Polymer journal, 16, 661, (1984); Von Berlepsch, H., Pinnow, M., Stark, W.J. J. Phys. D.:Appl. Phys., 22, 1143, (1989); Von Berlepsch, H., Kunstler, W., Wedel, A.,Danz, R., Geiss, D. IEEE Trans. Elec. Ins., 24, 357, (1989); Jo, Y.S., Sakurai, M., Inoue, Y., Chujo, R., Tasaka, S., Miyata, S., Polymer, 28, 1583, (1987); y Miyata, S., Yoshikawa, M., Tasaka, S., Ko, M. Polymer journal, 12, 587, (1980)); el polifenileternitrilo (PPEN)(Furukawa, T., Tada, M., Nakajima, K. Seo, I. Jpn.J.Appl. Phys., 27, 200, (1988); Sakurai, M., Ohta, Y., Inoue, Y., Chujo, R., Polym. Comm., 32, 397, (1991)); y el poli(1-biciclo-butanocarbonitrilo) (Tasaka, S., Inagaki, N., Okutani, T., Miyata, S., Polymer, 30, 1639, (1989)). Los materiales más prometedores son los copolímeros de cianuro de vinilideno, los cuales muestran grandes tensiones de relajación...

 


Reivindicaciones:

1. Poliimida con propiedades piezoeléctricas a altas temperaturas caracterizada porque tiene una unidad estructural repetitiva de fórmula (I):


en la que X e Y representan hidrógeno y ciano, con la condición de que cuando uno de X e Y es hidrógeno, el otro es ciano.

2. Poliimida según la reivindicación 1, caracterizada porque tiene una unidad estructural repetitiva de fórmula (Ia):


3. Poliimida según la reivindicación 1, caracterizada porque tiene una unidad estructural repetitiva de fórmula (Ib):


4. Procedimiento para la preparación de una poliimida con propiedades piezoeléctricas a altas temperaturas según las reivindicaciones 1-3, caracterizado porque comprende las etapas de:

(a) hacer reaccionar una diamina de fórmula estructural (II):


en la que X e Y tienen los significados dados en la reivindicación 1;

con anhídrido 4,4'-oxidiftálico para obtener un ácido poliámico de fórmula (III):


en la que X e Y tienen los significados dados en la reivindicación 1;

(b) curar dicho ácido poliámico de fórmula (III) mediante tratamiento térmico para obtener la poliimida de fórmula (I):


en la que X e Y tienen los significados dados en la reivindicación 1; y

(c) polarizar dicha poliimida de fórmula (I) mediante tratamiento térmico y aplicación simultánea de un campo eléctrico.

5. Procedimiento según la reivindicación 4, caracterizado porque en la etapa (b) el curado se efectúa mediante calentamiento a una temperatura de 180-220ºC.

6. Procedimiento según la reivindicación 5, caracterizado porque en la etapa (b) el curado se efectúa mediante calentamiento a una temperatura de 200ºC.

7. Procedimiento según la reivindicación 4, caracterizado porque en la etapa (c) la polarización se efectúa mediante calentamiento a una temperatura de 180-210ºC y aplicación simultánea de un campo eléctrico de 5-9 kV.

8. Procedimiento según la reivindicación 7, caracterizado porque en la etapa (c) la polarización se efectúa mediante calentamiento a una temperatura de 200ºC y aplicación simultánea de un campo eléctrico de 7,5 kV.

9. Diamina empleada en el procedimiento de las reivindicaciones 4-8, caracterizada porque tiene la fórmula estructural (II):


en la que X e Y tienen los significados dados en la reivindicación 1.

10. Diamina según la reivindicación 9, caracterizada porque tiene la fórmula estructural (IIa):


11. Diamina según la reivindicación 9, caracterizada porque tiene la fórmula estructural (IIb):


12. Procedimiento para la preparación de la diamina de fórmula (II) según las reivindicaciones 9-11, caracterizado porque comprende las etapas de:

(i) hacer reaccionar dos equivalentes del compuesto de fórmula (IV):


en la que Y representa hidrógeno o ciano; con un equivalente del compuesto de fórmula (V):


en la que X representa hidrógeno o ciano, con la condición de que cuando uno de X e Y es hidrógeno, el otro es ciano, para obtener el compuesto de fórmula (VI):


en la que X e Y representan hidrógeno o ciano, con la condición de que cuando uno de X e Y es hidrógeno, el otro es ciano; y

(ii) hacer reaccionar un equivalente del compuesto de fórmula (VI) obtenido con dos equivalentes del compuesto de fórmula (VII)


en la que X representa hidrógeno o ciano, con la condición de que cuando uno de X e Y es hidrógeno, el otro es ciano.

13. Uso de la poliimida con propiedades piezoeléctricas a altas temperaturas según las reivindicaciones 1-3 en aplicaciones industriales.

14. Uso según la reivindicación 13 para la fabricación de sensores, actuadores, dispositivos microelectromecánicos, detectores piroeléctricos de radiación infrarroja y dispositivos para aplicaciones aeroespaciales.


 

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