LASERES DE INGAAS/GAAS SOBRE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LEPECVD Y MOCVD.
Método para obtener un láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs (10) sobre un sustrato de silicio (15.
1), comprendiendo el método las siguientes etapas: #- formación de un sustrato virtual de germanio (15) sobre el sustrato de silicio (15.1) por medio de un proceso de deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía (LEPECVD), mediante el cual dicho sustrato virtual de germanio (15) comprende una capa (15.3; 15.4) de germanio puro, teniendo dicha capa de germanio (15.3; 15.4) un grosor entre 0,5 µm y 5 µm, #- formación de una estructura de arseniuro de galio sobre el sustrato virtual de germanio (15) por medio de un proceso de deposición química organometálica en fase de vapor, comprendiendo dicho proceso de deposición química organometálica en fase de vapor #- una etapa inicial para la formación de una primera capa de arseniuro de galio (16; 21) sobre dicho sustrato virtual de germanio (15) a una primera temperatura del sustrato (Ts1), #- una segunda etapa para la formación de una segunda capa de guía de onda de arseniuro de galio (17) a una segunda temperatura del sustrato (Ts2), siendo dicha segunda temperatura del sustrato (Ts2) mayor que dicha primera temperatura del sustrato (Ts1), y siendo dicha primera capa de arseniuro de galio (16; 21) más delgada que dicha segunda capa de arseniuro de galio (17) y, #- etapas subsiguientes para la formación de una estructura de láser activo que comprende una capa guía de onda de arseniuro de galio (12) que embebe un pozo cuántico (11).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: POLITECNICO DI MILANO.
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: PIAZZA LEONARDO DA VINCI, 32,20133 MILANO.
Inventor/es: VON KANEL,HANS, SAGNES,ISABELLE, SAINT-GIRONS,GUILLAUME JACQUES, BOUCHOULE,SOPHIE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 5 de Septiembre de 2003.
Fecha Concesión Europea: 29 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L21/205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
- H01S5/02 H01 […] › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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