MODULO MICROELECTRONICO DE HIPERFRECUENCIAS QUE COMPRENDE DOS MATERIALES DE SUBSTRATO DIFERENTES Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN MODULO DE ESTE TIPO.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A LOS MODULO MICROELECTRONICOS DE HIPERFRECUENCIAS QUE COMPRENDEN DOS MATERIALES DE SUSTRATO DIFERENTES EN UNA ESTRUCTURA DE INTERCONEXION EN CAPA ESPESA.
EL MODULO MICROELECTRONICO DE HIPERFRECUENCIAS SEGUN AL INVENCION COMPRENDE UN SUSTRATO PORTADOR (44) Y UN SUSTRATO DE FERRITA (46) SEPARADOS POR UN INTERSTICIO, TENIENDO CADA SUSTRATO AL MENOS UNA CARA METALIZADA, ESTANDO UNA PRIMERA CARA (51) METALIZADA DEL SUSTRATO PORTADOR Y UNA PRIMERA CARA (53) METALIZADA DEL SUSTRATO DE FERRITA SITUADAS EN UN MISMO PRIMER PLANO, Y DEL MISMO LADO DE ESTE PRIMER PLANO. EL SUSTRATO DE FERRITA (46) SE FIJA AL SUSTRATO PORTADOR POR UN MATERIAL (70) SITUADO EN EL INTERSTICIO Y QUE EMERGE EN EL PRIMER PLANO, FORMANDO EL SUSTRATO PORTADOR, EL SUSTRATO DE FERRITA Y EL MATERIAL, UN SUSTRATO UNICO (42) METALIZADO, ESTANDO EL MATERIAL AHI DONDE EMERGE EN EL PRIMER PLANO, CUBIERTO POR UNA METALIZACION (76) QUE GARANTIZA LA INTERCONEXION ELECTRICA ENTRE AQUELLAS (80) CARAS METALIZADAS DEL SUSTRATO PORTADOR Y DEL SUSTRATO DE FERRITA QUE ESTAN SITUADO EN EL PRIMER PLANO. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN AL PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE TAL MODULO QUE COMPRENDE AL MENOS LAS SIGUIENTES ETAPAS: - REALIZACION DEL SUSTRATO PORTADOR (44) Y DEL SUSTRATO DE FERRITA (46), NO METALIZADOS. - FIJACION DEL SUSTRATO DE FERRITA (46) AL SUSTRATO PORTADOR (44) POR UN MATERIAL (70) QUE LLENA EL INTERSTICIO ENTRE EL SUSTRATO PORTADOR Y EL SUSTRATO DE FERRITA, FORMANDO EL SUSTRATO UNICO (42). - METALIZACION DEL SUSTRATO UNICO. APLICACION: MODULOS MICROELECTRONICOS DE HIPERFRECUENCIA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THOMSON-CSF.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 173, BOULEVARD HAUSSMANN,75008 PARIS.
Inventor/es: MABIRE,JACQUES, BODEVEIX,JEAN-CLAUDE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 4 de Junio de 1999.
Fecha Concesión Europea: 27 de Diciembre de 2006.
Clasificación PCT:
- H01L23/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Adaptaciones para la alta frecuencia.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Irlanda, Finlandia, Chipre.
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