RELLENO CONTINUO DE MASA FUNDIDA PARA EL CRECIMIENTO DE CRISTALES.
Un método para hacer crecer en continuo una cinta cristalina que comprende los pasos de:
a) introducir un material fuente granular en un alimentador; b) disponer un volumen de material fuente granular (108, 108) que sale del alimentador sobre una cinta móvil (102) en translación que comprende un par de labios elevados (104), formando el volumen del material fuente granular un ángulo de reposo () con la cinta móvil; c) alimentar de forma continua el material fuente granular dispuesto en la cinta móvil a un crisol (43) que comprende una masa fundida (42) del material fuente granular a un régimen basado en el ángulo de reposo; y d) crecer de forma continua una cinta cristalina por solidificación de la masa fundida en una interfase sólido- líquido.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EVERGREEN SOLAR INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 211 SECOND AVENUE,WALTHAM, MA 02154.
Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., SACHS, EMANUEL, M., MARTZ, JENNIFER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 1 de Mayo de 2000.
Fecha Concesión Europea: 8 de Septiembre de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.
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