SISTEMA DE SUMINISTRO DE SILICIO.
SISTEMA DE SUMINISTRO DE SILICIO. UN APARATO PARA SUMINISTRAR PARTICULAS DE SILICIO DE DIVERSOS TAMAÑOS Y FORMAS A UN BAÑO DE SILICIO FUNDIDO CONTENIDO EN UN CRISOL SITUADO EN UN HORNO A PARTIR DEL CUAL SE EXTRAE UNA CINTA DE SILICIO MONOCRISTALINO EN FORMA DE HOJA DENDRITICA,
RECIBE LAS PARTICULAS DE SILICIO A PARTIR DE UN DEPOSITO A TRAVES DE UN TUBO DE SUMINISTRO (32) CONECTADO CON UNA ENVOLTURA (36) QUE CONTIENE UN TORNILLO SIN FIN QUE ESTA CONSTITUIDO POR UNA MULTITUD DE CERDAS NO METALICAS (48) QUE SE EXTIENDEN A PARTIR DE UN EJE GIRATORIO (46) DISPUESTO EN LA ENVOLTURA CILINDRICA NO METALICA. EL TORNILLO SIN FIN DESPLAZA LAS PARTICULAS DE SILICIO DESDE EL TUBO DE SUMINISTRO (32) A TRAVES DE LA ENVOLTURA (36) HASTA EL TUBO DE DESCARGA (50) A TRAVES DEL CUAL CAEN EN EL HORNO. TODAS LAS SUPERFICIES DEL APARATO DE SUMINISTRO NO SON METALICAS PARA GARANTIZAR QUE LAS PARTICULAS SE MANIPULARAN ESENCIALMENTE SIN ADQUIRIR CONTAMINANTES METALICOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTINGHOUSE ELECTRC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: WESTINGHOUSE BUILDING, GATEWAY CENTER PITTSBURGH, PENNSYLVANIA 15222.
Inventor/es: KOCHKA, EDGAR LEONARD.
Fecha de Solicitud: 26 de Junio de 1987.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 5 de Junio de 1989.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ.
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