SISTEMA DE FUSION PARA EL CRECIMIENTO DE UNA PLACA DENDRITICA.
SISTEMA DE FUSION PARA EL CRECIMIENTO DE UNA PLACA DENDRITICA.
CONSTA DE UN CUERPO DE FORMA ALARGADA QUE TIENE POSICIONES EXTREMAS REDONDEADAS (12, 14), ELEMENTOS DE APANTALLAMIENTO DE CALOR LATERALES (30), UNA PANTALLA DE CALOR EXTREMA (32) Y UNA PANTALLA DE CALOR SUPERIOR, INCORPORADAS EN EL CONJUNTO (36) DE LA TAPA. LA PLACA DENDRITICA SE EXTRAE DESDE UN ORIFICIO (38) TERMINADO POR UNAS PLACAS CIRCULARES (40, 42). EXISTE UN AGUJERO (44) PARA LA ALIMENTACION DE PASTILLAS DE MATERIAL. ESPECIALMENTE APLICADO AL CRECIMIENTO DE CUERPOS CRISTALINOS A BASE DE SILICIO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: WESTINGHOUSE BUILDING,GATEWAY CENTER, PITTSBURGH PA 15235 US.
Fecha de Solicitud: 10 de Marzo de 1982.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 9 de Marzo de 1983.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ.
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