METODO DE FABRICACION DE UN VARISTOR DE OXIDO DE METAL Y VARISTOR REALIZADO DE ACUERDO CON ESTE METODO.
EL PROCEDIMIENTO SIRVE PARA LA FABRICACION DE UN VARISTOR, QUE TIENE UN CUERPO DE RESISTENCIA CILINDRICA (1) FORMADO POR UN MATERIAL DE OXIDO METALICO,
ASI COMO DOS ELECTRODOS (2, 3) COLOCADOS CADA UNO SOBRE DOS SUPERFICIES FRONTALES, QUE SON PARALELAS ENTRE SI, DEL CUERPO DE RESISTENCIA CILINDRICO (1). EN UNA PRIMERA ETAPA DEL PROCEDIMIENTO SE COLOCA SOBRE AMBAS SUPERFICIES FRONTALES UNA CAPA DE MATERIAL DE ELECTRODOS HASTA QUE SE FORME UN BORDE EXTERNO (9). EN UNA SEGUNDA ETAPA DEL PROCEDIMIENTO SE RETIRA DE LOS ELECTRODOS UN ANILLO (4) QUE TIENE UNA ANCHURA DE APROXIMADAMENTE 10 A 500 MI M Y QUE SE HA LLEVADO HASTA LA SUPERFICIE FRONTAL DEL CUERPO DE RESISTENCIA (1) Y QUE ESTA LIMITADO POR EL BORDE EXTERNO (9), O SE BISELAN (5 ') EL CUERPO DE RESISTENCIA (1) Y ELECTRODOS EN EL BORDE EXTERNO. EL PROCEDIMIENTO HACE POSIBLE UNA FABRICACION SENCILLA Y ECONOMICA DE UN VARISTOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ABB RESEARCH LTD..
Nacionalidad solicitante: Suiza.
Dirección: AFFOLTERNSTRASSE 52,8050 ZURICH.
Inventor/es: GREUTER, FELIX, HAGEMEISTER, MICHAEL, KLUGE, WOLFGANG, DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 2 de Marzo de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01C1/14 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01C RESISTENCIAS. › H01C 1/00 Detalles. › Bornes o puntos de toma especialmente adaptados a las resistencias; Disposiciones de bornes o puntos de toma en las resistencias.
- H01C17/28 H01C […] › H01C 17/00 Aparatos o procesos especialmente adaptados a la fabricación de resistencias (guarniciones de cárters o de envolturas H01C 1/02; reducción en polvo del aislante que rodea una resistencia H01C 1/03; fabricación de resistencias dependientes de la temperatura H01C 7/02, H01C 7/04). › adaptados para aplicar los terminales.
- H01C7/108 H01C […] › H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › de óxido metálico.
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