DESCARGADOR DE SOBRETENSION.
Descargador de sobretensión con dos armaduras de conexión (1,
2) conductoras de corriente, distanciadas entre sí a lo largo de un eje, con una parte activa (2) simétrica al eje, dispuesta entre las dos armaduras de conexión (1, 2), que contiene elementos de varistor (12) de forma cilíndrica, apilados superpuestos, con una carcasa (1) que recibe la parte activa y con un soporte de alojamiento que impulsa la parte activa (1) con una fuerza de contacto y que presenta bucles (15), caracterizado porque la parte activa (2) presenta al menos un elemento de conexión (13) simétrico al eje, conductor de electricidad, porque el elemento de conexión (13) está dispuesto entre dos elementos de varistor (12) consecutivos en apilamiento y presenta al menos cuatro puntos de apoyo (16, 16), que están formados en el elemento de conexión (13) distribuidos uniformemente en la dirección periférica alrededor del eje y/o están formados sobre el elemento de conexión (13), porque sobre dos primeros (16) de los puntos de apoyo está apoyado, respectivamente, uno de dos primeros bucles (15), que impulsa el elemento de conexión (13) y uno primero de los dos elementos de varistor (12) con una primera fuerza de contacto, y porque sobre dos segundos (16) de los puntos de apoyo está apoyado, respectivamente, uno de dos segundos bucles (15), que impulsa el elemento de conexión (13) y uno segundo de los dos elementos de varistor (12) con una segunda fuerza de contacto.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ABB HOCHSPANNUNGSTECHNIK AG.
Nacionalidad solicitante: Suiza.
Dirección: BROWN-BOVERI-STRASSE 5,8050 ZURICH.
Inventor/es: SCHMIDT, WALTER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 8 de Marzo de 1999.
Fecha Concesión Europea: 22 de Mayo de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01C7/12 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01C RESISTENCIAS. › H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › Resistencias de protección contra sobretensiones; Pararrayos.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Suecia, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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