DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES,
COMPUESTO DE VARIAS CELULAS DE MEMORIA (SZ), SITUADAS EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (5), PARA EL ALMACENAMIENTO PROGRAMABLE DE CONTENIDOS DE DATOS. EL DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES PUEDE UTILIZARSE EN POR LO MENOS DOS ESTADOS OPERATIVOS, DE LOS QUE EL PRIMERO ESTA ASIGNADO AL BORRADO DEL CONTENIDO DE DATOS DE UNA CELULA DE MEMORIA (SZ) Y EL SEGUNDO A LA CONSERVACION DEL CONTENIDO DE DATOS DE UNA CELULA DE MEMORIA (SZ). EL DISPOSITIVO REFERIDO CONTIENE ASIMISMO UN CIRCUITO SELECTOR PARA SELECCIONAR UN GRUPO VINCULADO DE CELULAS DE MEMORIA (SZ), POR LO MENOS UN CIRCUITO DE CONTROL (11, 39, 40) CON UNA LINEA DE CONTROL (35), ASIGNADA A LAS CELULAS DE MEMORIA (SZ), PARA LA APLICACION SELECTIVA DE UNA TENSION DE BORRADO Y UNA TENSION DE REFERENCIA EN EL GRUPO DE CELULAS (SZ) SELECCIONADO. PARA CONTROLAR EL GRUPO DE CELULAS DE MEMORIA (SZ) SELECCIONADO POR EL CIRCUITO SELECTOR PARA LOS ESTADOS OPERATIVOS DE BORRADO Y CONSERVACION DEL CONTENIDO DE DATOS DE LAS CELULAS (SZ), SE HA PREVISTO UN CIRCUITO DE CONTROL (11, 39, 40) ASIGNADO AL CONJUNTO DE CELULAS (SZ) DE UN GRUPO, CON UNA UNICA LINEA DE CONTROL (35) PARA EL ACOPLAMIENTO A TODAS LAS CELULAS (SZ) DEL GRUPO SELECCIONADO. EN LA LINEA DE CONTROL (35) REFERIDA, LA TENSION DE BORRADO Y LA TENSION DE REFERENCIA SE CONECTAN DE MODO SELECTIVO Y ACTIVO, RESPECTIVAMENTE, AL GRUPO DE CELULAS DE MEMORIA (SZ) SELECCIONADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: ZETTLER, THOMAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 20 de Marzo de 1997.
Fecha Concesión Europea: 17 de Mayo de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
- G11C8/00 G11C […] › Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193).
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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