PROCEDIMIENTO PARA LA PROGRAMACION SELECTIVA DE UNA MEMORIA NO VOLATIL.
PARA LA APLICACION SELECTIVA DE UNA TENSION NEGATIVA DE PROGRAMACION A UNA LINEA DE PALABRAS (WLI) DE UNA MEMORIA NO VOLATIL SE APLICA EN PRIMER LUGAR LA TENSION NEGATIVA DE PROGRAMACION A TODAS LAS LINEAS DE PALABRAS (WLI,
WLJ). DESPUES SE APLICA UNA TENSION POSITIVA A TODAS LAS LINEAS DE PALABRAS SELECCIONADAS (WLJ), PARA COMPENSAR LAS CARGAS NEGATIVAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: TEMPEL, GEORG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Mayo de 1996.
Fecha Concesión Europea: 28 de Abril de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
- G11C8/00 G11C […] › Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193).
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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