PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO LASER.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO LASER (2) QUE EMITE UN HAZ (9) CUYA INTENSIDAD SE REGULA MEDIANTE UNA SEÑAL DE AJUSTE.
DICHO HAZ (6) RECORRE UNA PRIMERA TRAYECTORIA (10) EN DIRECCION A LA SUPERFICIE (5) QUE SE VAYA A ILUMINAR, DE MANERA QUE LOS REFLEJOS PARASITOS PROCEDENTES DE DICHA SUPERFICIE, INESTABLES EN CUANTO A DURACION Y/O SITUACION ESPACIAL, ACTUAN SOBRE EL DIODO LASER (2). CON AYUDA DE UN ELEMENTO ESTABLE (19, 28, 31, 37, 38), UNA PARTE DE LA LUZ QUE SALE DEL DIODO LASER (2) SE CONDUCE POR UNA SEGUNDA TRAYECTORIA (11) HASTA LA ZONA ACTIVA (42) DEL DIODO (2), DE MODO QUE DICHO DIODO (2) SE MANTIENE EN UNA SITUACION DE COLAPSO DE COHERENCIA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AGFA-GEVAERT AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: POSTFACH,51373 LEVERKUSEN.
Inventor/es: KAPPELER, FRANZ.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 20 de Febrero de 1997.
Fecha Concesión Europea: 17 de Mayo de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/098 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › Acoplamiento de modos; Supresión de modos (supresión de modos con la ayuda de una pluralidad de resonadores H01S 3/082).
- H01S5/10 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Estructura o forma del resonador óptico.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes.
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