Dispositivo óptico de semiconductores.
Un método para fabricar un dispositivo óptico de semiconductores,
que comprende: formar una guía de ondas pasiva (2) a partir de una pluralidad de capas alternadas de material (8) de guía pasiva y de material (10) de revestimiento sobre un substrato (6); formar de una región activa (14) sobre la guía de ondas pasiva (2); eliminar por ataque químico el material de la región activa (14) para formar una cara externa en diagonal de la misma, en una primera región extrema del dispositivo; recrecer el material (30) semi-aislante para sustituir el material eliminado mediante ataque químico de la región activa (14); eliminar por ataque químico el material de la región activa (14) y el material semi-aislante recrecido (30) para definir una guía de ondas activa hacer crecer capas (28) de bloqueo de corriente para sustituir el material eliminado mediante ataque químico de la región activa y el material (30) semi-aislante recrecido; y eliminar por ataque químico todo el material recrecido hasta llegar al substrato (6) para denir una guía de ondas en cresta en dicha primera región extrema.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON.
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: ,126 25 STOCKHOLM.
Inventor/es: WEBER, JEAN-PIERRE +DI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 2 de Junio de 1998.
Fecha Concesión Europea: 1 de Agosto de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G02B6/12 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › del género de circuito integrado (producción o tratamiento de monocristales C30B; circuitos integrados eléctricos H01L 27/00).
- H01S5/10 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Estructura o forma del resonador óptico.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Suecia, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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