CIRCUITO INTEGRADO CON CONEXION DE CUBETAS.
CUANDO SE FABRICAN CIRCUITOS LOGICOS CMOS, POR EJEMPLO UN INVERSOR,
ES CON FRECUENCIA NECESARIO CONECTAR LAS FUENTES DE LOS TRANSISTORES DE LOS CANALES P Y N A SUS CUBETAS RESPECTIVAS (N Y P, RESPECTIVAMENTE). LA TECNICA ANTERIOR EXIGIA BIEN UNA GRAN VENTANA DE CONTACTO CUBRIENDO TANTO LA FUENTE COMO LAS CUBETAS O BIEN DOS VENTANAS DE CONTACTO DE TAMAÑO ESTANDAR. LA TECNICA DESCRITA AQUI FORMA LA CONEXION UTILIZANDO LA MISMA CAPA DE SILICIURO (106,107,112,116) QUE SE FORMA EN LAS REGIONES FUENTE/DESCARGA, LA CUAL TAMBIEN FORMA UN SILICIURO DE PUERTA (108,117) EN EL PROCESO DE SILICIURO AUTOALINEADO. ASI, PUEDE EMPLEARSE UNA VENTANA CONVENCIONAL PARA CONECTAR LA UNION DE SILICIURO DE LA CUBETA (Y, POR LO TANTO, LAS REGIONES FUENTE/CUBETA) A UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE CORRIENTE (114,128). DE ESTA FORMA SE CONSIGUE AHORRAR ESPACIO Y MAYOR LIBERTAD PARA COLOCAR LA FUENTE ENERGETICA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, WROGE, DANIEL MARK.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 17 de Diciembre de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/768 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
- H01L21/82 H01L 21/00 […] › para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
Patentes similares o relacionadas:
Sustrato de pastilla embebida con taladro posterior, del 1 de Julio de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un dispositivo, que comprende: un sustrato que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto, en el que el sustrato es un sustrato central que […]
Estructura y procedimiento para una TSV con alivio de tensión, del 17 de Junio de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Una pastilla semiconductora que comprende: un sustrato que tiene una cara activa; capas conductoras acopladas a la cara activa; una vía […]
Esquemas de interconexión posterior a la pasivación en la parte superior de los chips IC, del 26 de Junio de 2019, de QUALCOMM INCORPORATED: Una estructura de interconexión posterior a la pasivación, que comprende: uno o más circuitos internos que comprenden uno o más dispositivos activos formados en […]
Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas, del 2 de Mayo de 2018, de INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG: Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior […]
Dispositivo para el posicionamiento y la puesta en contacto de contactos de prueba, del 22 de Noviembre de 2017, de Pac Tech - Packaging Technologies GmbH: Dispositivo para el posicionamiento y la puesta en contacto de contactos de prueba en un soporte de contactos para producir una disposición de contactos […]
Proceso para rellenar surcos de contacto en microelectrónica, del 23 de Agosto de 2017, de MacDermid Enthone Inc: Proceso para metalizar un elemento de surco de contacto a través de silicio en un dispositivo de circuito integrado semiconductor, comprendiendo […]
Procedimiento para formar una imagen conductora sobre una superficie no conductora, del 24 de Junio de 2015, de Earthone Circuit Technologies Corporation: Procedimiento para formar una capa conductora sobre una superficie, que comprende realizar las siguientes etapas en orden: activar por lo […]
Estructura de interconexión basada en nanotubos de carbono redirigidos, del 11 de Febrero de 2015, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Dispositivo electrónico que comprende conexiones eléctricas que se extienden según al menos dos direcciones distintas, estando dichas conexiones realizadas por medio […]