COMPOSICION ABRASIVA PARA PULIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON LA MISMA.
Una composición abrasiva para pulir un dispositivo semiconductor en el procedimiento de aislamiento de ranuras poco profundas,
comprendiendo dicha composición principalmente agua, polvo de óxido de cerio y uno o más compuestos orgánicos solubles en agua que tienen al menos un grupo -COOH, un grupo COOMx (en el que Mx es un átomo o grupo funcional capaz de desplazar un átomo de H para formar una sal), un grupo -SO3H y un grupo -SO3My (en el que My representa un átomo o grupo funcional capaz de desplazar un átomo de H para formar una sal), en el que el tamaño de partícula primario de dicho polvo de óxido de cerio es 0, 005 a 0, 5 m y en el que cuando una capa de nitruro de silicio y una capa de óxido de silicio, formadas por separado sobre un sustrato de silicio mediante el método CVD se pulen independientemente bajo las mismas condiciones, la relación de la tasa de pulido para la última respecto a la de la primera es 10 o más.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 13-9, SHIBA DAIMON 1-CHOME, MINATO-KU,TOKYO 105-8518.
Inventor/es: ICHIKAWA, KAGETAKA, KIDO, TAKANORI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 24 de Febrero de 1999.
Fecha Concesión Europea: 6 de Mayo de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C09K3/14 QUIMICA; METALURGIA. › C09 COLORANTES; PINTURAS; PULIMENTOS; RESINAS NATURALES; ADHESIVOS; COMPOSICIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE LOS MATERIALES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K SUSTANCIAS PARA APLICACIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE SUSTANCIAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K 3/00 Sustancias no cubiertas en otro lugar. › Sustancias antideslizantes; Abrasivos.
- H01L21/304 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.
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