METODO PARA LA OBTENCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA Y UNA CONEXION EN UNA CAPA EPITAXIAL, Y ESTRUCTURAS EN LAS QUE SE UTILIZA EL METODO.

PROCESO PARA COLOCAR UNA CAPA EPITAXIAL EN UN SUBSTRATO DE SILICIO Y SOBRE ISLETAS (18) PREDEFINIDAS CORONADAS POR UN AISLANTE,

QUE FORMA UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN LA CAPA EPITAXIAL. SE DESCRIBE LA APLICACION DEL METODO A UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA RAM DINAMICA, CON UN TRANSISTOR DE ACCESO (80,84,98) EN SILICIO MONOCRISTALINO (30) COLOCADO ENCIMA DE UN CAPACITOR DE CANAL. SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEGUN EL CUAL LA VENTANA DE CONTACTO (52) PARA LA CONEXION FUENTE-CANAL ESTA FORMADA POR CRECIMIENTO LATERAL EPITAXIAL AUTOALINEADO, SEGUIDO DE LA FORMACION DE UNA CONEXION DE CONTACTO UTILIZANDO UN SEGUNDO CRECIMIENTO EPITAXIAL O UN PROCESO (CVD) DE LLENADO Y ZUNCHAMIENTO. EL INVENTO PUEDE APLICARSE TAMBIEN A OTRAS ESTRUCTURAS QUE UTILIZAN LOS PRINCIPIOS DESCRITOS, MAS CONCRETAMENTE A UN INVERSOR CUYO ACCIONADOR VA SOBRE EL RESISTOR DE CARGA, QUE PUEDE UTILIZARSE COMO UN CIRCUITO BASICO PARA CIRCUITOS LOGICOS Y CELDAS DE MEMORIA RAM ESTATICA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: LU, NICKY CHAU-CHUN, MACHESNEY, BRIAN JOHN.

Fecha de Publicación: 1 de Diciembre de 1992.

Fecha Concesión Europea: 18 de Marzo de 1992.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L21/74 H01L 21/00 […] › Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
H01L27/10 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

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