DISPOSITIVO DE MEMORIA MAGNETICA.

Dispositivo de memoria magnética , que comprende una capa de material magnético (11) en la que pueden ser movidos dominios de capa de transición única en respuesta a un campo magnético (H) que se reorienta en el plano de la capa;

una configuración de elementos (21) para definir una primera (L2) y una segunda (LM) vías de etapas múltiples para mover los dominios en la capa, comprendiendo cada vía primeras posiciones (27 y 31) y segundas posiciones (28 y 35) , y una disposición de transferencia (24,29 y 30) para transferir un dominio entre las primeras posiciones de dichas primera y segunda vías, comprendiendo la disposición de transferencia un elemento de guía (22) que comprende una posición central (30) que se extiende entre las primeras posiciones (27 y 31) de la primera y segunda vías y un conductor eléctrico (24) , caracterizado porque el conductor eléctrico (24) de la disposición de transferencia es de una forma para producir y una configuración distribuida espacialmente de campos paralelos y anti-paralelos a la magnetización del dominio, cuyo conductor está dispuesto con respecto al elemento de guía (22) para generar campos para anular el efecto del campo en el plano (H) para mover dicho dominio a la segunda posición (28 o 35) de la vía asociada, y para atraer simultáneamente el dominio a la posición central (30) del elemento de guía (22) cuando se aplican impulsos en el conductor, y porque el elemento guía (22) tiene una forma para generar un campo magnético para completar el movimiento de dicho dominio a la primera posición (27 o 31) de la transferida a la vía (L2 o LM) cuando el campo en el plano en el plano se reorienta a la dirección siguiente consecutiva.