PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS MAGNETICOS DE MATERIALES EPITAXIALES DE GRANATE.

Perfeccionamientos en dispositivos magnéticos de materiales epitaxiales de granate,

que comprenden un substrato de composición de granate que soporte por lo menos una primera capa epitaxial de una primera composición de granate de burbujas, cuya capa puede evidenciar anisotropia magnética uniaxial capaz de soportar regiones encerradas locales de polarización magnética opuesta a la del material circundante, provisto de primeros medios para polarizar magnéticamente la capa con el fin de estabilizar dichas regiones, segundos medios para situar dichas regiones locales y encerradas de polarización opuesta, y terceros medios para propagar dichas regiones locales, siendo el material de la estructura del granate, caracterizados porque la primera capa comprende un material de granate en el cual el lugar dodecaédrico contiene de 0,2 a0,8 átomos por unidad de fórmula de lantano en combinación con 0,5 a 0,8 átomos por unidad de fórmula de samario o europio, y un ion pequeño elegido del grupo consistente en lutetio, iterbio, tulio e itrio en una cantidad de 0,5 a 2,5 átomos por unidad de fórmula, y porque la capa tiene una orientación cristalina de 111 a 100.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY, NEW YORK 10038.

Fecha de Solicitud: 27 de Junio de 1979.

Fecha de Publicación: 16 de Agosto de 1980.

Fecha de Concesión: 16 de Agosto de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

G11C19/08 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 19/00 Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento. › que utilizan capas finas en una estructura plana.

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