PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO EN UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO; TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA ENTRE 500 C Y 695 C APROXIMADAMENTE, CON AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO, PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO Y UNA CAPA DE NITRURO DE TITANIO SOBRE EL SILICIURO DE TITANIO QUE INHIBE LA MIGRACION A LA SUPERFICIE DEL SILICIO QUE SIRVE DE BASE, Y PARA HACER REACCIONAR SUSTANCIALMENTE TODAS LAS REGIONES DE OXIDO SILICIO

(SIO SUB 2) QUE SIRVE DE BASE AL TITANIO DEL DISCO PARA FORMAR NITRURO DE TITANIO, Y LUEGO AUMENTAR LA TEMPERATURA PARA FORMAR UNA FASE DE SILICIURO DE TITANIO MAS ESTABLE SIN RIESGO DE REACCION ENTRE EL OXIDO DE SILICONA Y EL TITANIO NO REACCIONADO EN EL.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA CALIFORNIA 95054-3.

Inventor/es: NULMAN, JAIM.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 21 de Agosto de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/324 (Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen prioridad))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/285 (a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación)
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