DISPOSITIVO OPTICO PARA HACER SIMETRICAS LAS RADIACIONES DE REDES BIDIMENSIONALES DE DIODOS LASER.

Conjunto óptico para equilibrar la radiación de una multitud de diodos láser dispuestos en correspondencia fija en la dirección x los unos junto a los otros y superpuestos en la dirección y perpendicular a la anterior, cuya radiación de salida respectiva, con respecto a la dirección y y a la dirección x es asimétrica, especialmente para equilibrar la radiación de las barras de diodos láser apilados unos sobre otros formando un paquete de diodos láser, con una multitud de diodos láser dispuestos los unos junto a los otros en la dirección x y superpuestos en la dirección y perpendicular a la anterior, así como con varios sistemas ópticos de microlentes cilíndricas

(2a, 2b, 2c) con isoplanasia suficiente, donde cada sistema óptico de microlente cilíndrica está asignado a otro conjunto ordenado lineal de diodos láser dispuestos unos junto a los otros en la dirección x, y que está basculado alrededor del eje óptico situado en la dirección z del correspondiente conjunto ordenado lineal de diodos láser, de manera que el sistema óptico de microcilindros colima los haces de rayos de salida de los distintos diodos láser del correspondiente conjunto ordenado lineal de diodos láser en la dirección y, desviándolos con diferente intensidad según su coordenada x, con lo cual se separan los haces de rayos de salida con respecto a la dirección y, donde además, a continuación de los sistemas ópticos de microlentes cilíndricas (2a, 2b, 2c) hay dispuesto un elemento director (3) que desvía los haces de rayos (8) de los distintos diodos láser dispuestos unos junto a otros en la dirección x, en dirección x con distintos ángulos de desviación cada uno, de tal manera que los centros de gravedad de los distintos haces de rayos (8) coincidan con una separación prefijada con relación a la dirección x, y desvíe la radiación de cada uno de los conjuntos ordenados de diodos láser lineales en la dirección y, de tal manera que los centros de gravedad de los haces de los emisores individuales superpuestos de las distintas barras coincidan con una separación prefijada con respecto a la dirección y, y donde con una separación, después del elemento director (3) está dispuesto un elemento de redirección (5), que vuelve a compensar en el plano xz los diferentes ángulos de desvío de los haces de rayos (8) introducidos por el elemento director (3).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: LEONRODSTRASSE 54,80636 MUNCHEN.

Inventor/es: GIRING, ROLF, POSSNER, TORSTEN, SCHREIBER, PETER.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 28 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 11 de Septiembre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > OPTICA > ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene... > Otros sistemas ópticos; Otros aparatos ópticos... > G02B27/09 (Conformación del haz, p. ej. cambiando la sección transversal, no prevista en otro lugar)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA > H01S3/00 (Láser, es decir, dispositivos para la producción, amplificación, modulación, demodulación o el cambio de frecuencia utilizando la emisión estimulada de ondas infrarrojas, visibles o ultravioletas (láseres de semiconductor H01S 5/00))
  • SECCION G — FISICA > OPTICA > ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene... > Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones... > G02B6/42 (Acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA > Láser, es decir, dispositivos para la producción,... > H01S3/0941 (producida por un láser semiconductor, p. ej. un diodo láser)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA > Láseres de semiconductor > H01S5/40 (Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.

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