Disposición magnética para un conmutador de baja tensión.

Disposición magnética para la mejora de las propiedades de propagación de un arco voltaico de conmutación, formado durante la apertura de un circuito de corriente en una antecámara

(30), que conduce el arco voltaico de conmutación entre dos carriles de propagación del arco voltaico (31, 32), de un conmutador de baja tensión, con un circuito magnético abierto, que contiene material magnético, y con al menos un imán permanente (80) para la alimentación de flujo magnético al circuito magnético bajo la formación de una inducción magnética que actúa en la zona de la antecámara (30) sobre el arco voltaico de conmutación, caracterizada porque el material magnético está configurado como una chapa (70) que presenta un perfil en U y que se extiende a lo largo de la antecámara, y presenta una escotadura de material (71) guiada a través de esta chapa de antecámara (70), en la que está retenido el al menos un imán permanente (80).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E11187846.

Solicitante: ABB SCHWEIZ AG.

Nacionalidad solicitante: Suiza.

Dirección: BROWN BOVERI STRASSE 6 5400 BADEN SUIZA.

Inventor/es: SCHNEIDER, GERHARD, WULF,THOMAS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > INTERRUPTORES ELECTRICOS; RELES; SELECTORES; DISPOSITIVOS... > Detalles de los dispositivos de conmutación no cubiertos... > H01H9/44 (utilizando electroimanes de soplado)

PDF original: ES-2501666_T3.pdf

 

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Fragmento de la descripción:

Disposición magnética para un conmutador de baja tensión Campo técnico La presente invención se refiere a una disposición magnética de acuerdo con la parte de introducción de la reivindicación 1 de la patente y a un conmutador de baja tensión que contiene tal disposición magnética.

Estado de la técnica En conmutadores de baja tensión se emplean tales disposiciones magnéticas en una antecámara dispuesta entre un lugar de interrupción y una cámara de extinción de arco voltaico, para mejorar las propiedades de la propagación del arco voltaico de conmutación formado durante la interrupción de una corriente de cortocircuito o de una sobrecorriente. La inducción magnética efectiva sobre el arco voltaico de conmutación se determina en este caso sobre todo a través de la geometría, la polaridad, el material magnético empleado y la magnetización del imán permanente en un circuito magnético abierto.

Una disposición magnética del tipo mencionado anteriormente se describe en el documento EP 1 998 350 B1. Esta disposición magnética presenta dos placas de hierro lateralmente adyacentes a una antecámara de un conmutador de baja tensión así como un imán permanente, que alimenta flujo magnético a las dos placas de hierro. La inducción magnética, que actúa en la antecámara entre las dos placas de hierro, de un circuito magnético abierto se utiliza para la mejora de las propiedades de propagación de un arco voltaico de conmutación formado durante la interrupción de una corriente continua.

Se conoce, además, a partir del documento EP 1 548 773 B1 una instalación de extinción del arco voltaico para un conmutador de protección de baja tensión con interrupción doble, en la que las propiedades de la propagación de dos arcos voltaicos de conmutación, formados durante la interrupción de una corriente alterna, que pasan durante el proceso de interrupción, respectivamente, una segunda antecámara, se mejoran con la ayuda de dos envolventes asociadas, respectivamente, a una de las dos antecámaras de material magnético. Cada envolvente presenta un perfil en U y rodea las antecámaras asociadas lateralmente y adyacentes a un carril de propagación del arco voltaico que conduce el punto inferior de la pata del arco voltaico de conmutación.

Representación de la invención La invención, como se indica en las reivindicaciones de la patente, tiene el cometido de crear una disposición magnética del tipo mencionado al principio para un conmutador de baja tensión, que se caracteriza por un tipo de construcción sencillo y que posibilita una regulación cómoda de la inducción magnética y al mismo tiempo indicar un conmutador de baja tensión con una disposición magnética de este tipo.

De acuerdo con la presente invención, se acondiciona una disposición magnética para la mejora de las propiedades de propagación de un arco voltaico de conmutación formado durante la apertura de un circuito de corriente en una antecámara, que conduce el arco voltaico de conmutación entre dos carriles de propagación del arco voltaico, de un conmutador de baja tensión, con un circuito magnético abierto, que contiene material magnético, y con al menos un imán permanente para la alimentación de flujo magnético al circuito magnético bajo la formación de una inducción magnética que actúa en la zona de la antecámara sobre el arco voltaico de conmutación. En esta disposición magnética, el material magnético está configurado como una chapa que presenta un perfil en U y que se extiende a lo largo de la antecámara y presenta una escotadura de material guiada a través de esta chapa de antecámara, en la que está retenido el al menos un imán permanente.

A través de la configuración del material magnético como chapa de antecámara formada de manera adecuada y a través de la disposición del al menos un imán permanente en una escotadura del material de la chapa de antecámara se consigue una disposición magnética fácil de fabricar, que proporciona la mejora pretendida de las propiedades de propagación del arco voltaico de conmutación en la antecámara de un conmutador de bata tensión con medios sencillos. A través del dimensionado adecuado de la escotadura de material se puede regular también de una manera extraordinariamente cómoda la inducción magnética, que mejora las propiedades de propagación del arco voltaico de conmutación.

La escotadura de material se puede extender a lo largo de un dorso que conecta las dos superficies laterales del perfil en U. La escotadura de material puede estar delimitada por una primera nervadura, que conecta las dos superficies laterales del perfil en U entre sí. La escotadura de material puede estar delimitada adicionalmente por una segunda nervadura que conecta las superficies laterales. La inducción magnética, que actúa en la antecámara, del circuito magnético se puede regular a través de la modificación de la dimensión geométrica de la primera nervadura.

Dos superficies polares del al menos un imán permanente, que alimentan el flujo magnético en la chapa de

antecámara, se pueden proyectar sobre ambos lados de la antecámara desde la escotadura de material.

La chapa de antecámara puede estar fijada, en particular acoplada, sobre un aislamiento de antecámara, que aísla eléctricamente el arco voltaico de conmutación frente a la chapa.

Sobre la chapa de la antecámara y/o sobre una sección libre de la superficie del aislamiento de la antecámara puede estar dispuesta una identificación, que designa el polo asociado del al menos un imán permanente. Dos superficies laterales del aislamiento de la antecámara, que están asociados, respectivamente, a uno de los dos polos del al menos un imán permanente, pueden presentar diferente coloración alcanzada especialmente a través de coloración del material del aislamiento de la antecámara.

La chapa de la antecámara y/o el aislamiento de la antecámara pueden estar retenidos en una unidad de montaje del conmutador de baja tensión, en particular a través de inserción.

La invención se refiere también a un conmutador de baja tensión con una disposición magnética mencionada anteriormente. En este conmutador, la chapa de antecámara está fijada sobre un aislamiento de antecámara, que aísla eléctricamente el arco voltaico de conmutación frente a la chapa, y en el que la chapa de antecámara y el aislamiento de antecámara forman parte de una unidad de montaje del conmutador, de manera que tal conmutador se puede fabricar, mantener y reequipar de una manera especialmente sencilla cuando la unidad de montaje presenta una pieza de carcasa que se puede fijar en una carcasa del conmutador y que se puede desprender, dado el caso, desde la carcasa del conmutador.

La unidad de montaje puede estar integrada en la carcasa de conmutador con la ayuda de una conexión que fija la parte de la carcasa (12) en unión positiva y por aplicación de fuerza, realizada con preferencia como remache, unión atornillada o con pasador.

Breve descripción de los dibujos Con la ayuda de los dibujos se explica en detalle a continuación la invención. En este caso, se muestra en representación isométrica lo siguiente:

La figura 1 muestra una instalación de extinción del arco de un conmutador de protección de baja tensión, en la que está integrada una disposición magnética de acuerdo con la invención.

La figura 2 muestra un imán permanente y una chapa de antecámara, que retiene este imán, de la disposición magnética representada en la figura 1.

La figura 3 muestra la disposición magnética de acuerdo con la invención después de la aplicación de la chapa de antecámara, que retiene el imán permanente, de acuerdo con la figura 2 sobre un aislamiento... [Seguir leyendo]

 


Reivindicaciones:

1. Disposición magnética para la mejora de las propiedades de propagación de un arco voltaico de conmutación, formado durante la apertura de un circuito de corriente en una antecámara (30) , que conduce el arco voltaico de conmutación entre dos carriles de propagación del arco voltaico (31, 32) , de un conmutador de baja tensión, con un circuito magnético abierto, que contiene material magnético, y con al menos un imán permanente (80) para la alimentación de flujo magnético al circuito magnético bajo la formación de una inducción magnética que actúa en la zona de la antecámara (30) sobre el arco voltaico de conmutación, caracterizada porque el material magnético está configurado como una chapa (70) que presenta un perfil en U y que se extiende a lo largo de la antecámara, y presenta una escotadura de material (71) guiada a través de esta chapa de antecámara (70) , en la que está retenido el al menos un imán permanente (80) .

2. Disposición magnética de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizada porque la escotadura de material (71) se extiende a lo largo de un dorso (73) que conecta los dos brazos (72) del perfil en U.

3. Disposición magnética de acuerdo con la reivindicación 2, caracterizada porque la escotadura de material (71) está delimitada por una primera nervadura (75) , que conecta los dos brazos (72) del perfil en U entre sí.

4. Disposición magnética de acuerdo con la reivindicación 3, caracterizada porque la escotadura de material (71) está delimitada por una segunda nervadura (74) que conecta los brazos (72) del perfil en U.

5. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 3 ó 4, caracterizada porque la inducción magnética, que actúa en la antecámara (30) , del circuito magnético se puede regular a través de la modificación de la dimensión geométrica de la primera nervadura (75) .

6. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizada porque dos superficies polares (N, S) , que alimentan el flujo magnético a la zona de la antecámara (70) , del al menos un imán permanente (80) se proyectan sobre ambos lados de la chapa de antecámara (70) desde la escotadura de material (71) .

7. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizada porque la chapa de antecámara (70) está fijada sobre un aislamiento (60) de antecámara, que aísla eléctricamente, el arco voltaico de conmutación frente a la chapa (70) .

8. Disposición magnética de acuerdo con la reivindicación 7, caracterizada porque la chapa de antecámara (70) está acoplada sobre el aislamiento (60) de antecámara o está insertada en el aislamiento (60) de antecámara.

9. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 7 u 8, caracterizada porque sobre la chapa de antecámara (70) y/o sobre la sección superficial libre del aislamiento (60) de antecámara está dispuesta una identificación (76aa, 76b) , que designa el polo (N, S) asociado del al menos un imán permanente (80) .

10. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 7 u 8, caracterizada porque dos superficies laterales (62) del aislamiento (60) de antecámara, que están asociadas, respectivamente, a uno de los dos polos (N, S) del al menos un imán permanente (80) , presentan diferente coloración alcanzada especialmente a través de coloración del material del aislamiento (60) de la antecámara.

11. Disposición magnética de acuerdo con una de las reivindicaciones 7 a 10, caracterizada porque la chapa de antecámara (70) y el aislamiento (60) de la antecámara están retenidos en una unidad de montaje (E) del conmutador de baja tensión.

12. Disposición magnética de acuerdo con la reivindicación 11, caracterizada porque la chapa de antecámara (70) y el aislamiento (60) de antecámara están insertados en la unidad de montaje (E) .

13. Conmutador de baja tensión con una disposición magnética (M) de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 a 12.

14. Conmutador de acuerdo con la reivindicación 13, en el que la chapa de antecámara (70) está fijada sobre un aislamiento (60) de antecámara, que aísla eléctricamente el arco voltaico de conmutación frente a la chapa (70) , y en el que la chapa de antecámara (70) y el aislamiento (60) de antecámara forma parte de una unidad de montaje (E) del conmutador, caracterizado porque la unidad de montaje (E) presenta una pieza de carcasa (12) que se puede fijar en una carcasa (10) del conmutador y que se puede desprender, dado el caso, desde la carcasa del conmutador (10) .

15. Conmutador de acuerdo con la reivindicación 14, caracterizado porque la unidad de montaje (E) está integrada en la carcasa de conmutador (10) con la ayuda de una conexión que fija la parte de la carcasa (12) en unión positiva y por aplicación de fuerza, realizada con preferencia como remache, unión atornillada o con pasador.