AMPLIFICADOR DE POTENCIA HETEROGENEO MUY ADAPTABLE CON MICRO SISTEMAS DE CIRCUITO INTEGRADO EMPLEANDO TECNOLOGIAS MICROPASTILLA FLIP CHIP Y MICRO ELECTROMECANICA EN SUSTRATO DE BAJA PERDIDA.

Un conjunto adaptable para uso a altas frecuencias, que comprende: un sustrato (301); un primer y un segundo conmutadores MEM

(329, 327), teniendo cada uno un primer contacto y un segundo contacto, estando montado dicho primer conmutador MEM (329) sobre dicho sustrato (301); una célula amplificadora de potencia (325); y una pluralidad de conexiones; caracterizado porque dicha célula amplificadora de potencia (325) se conecta térmicamente a dicho sustrato (301) utilizando un tope térmico (321), dicha célula amplificadora de potencia (325) está aislada eléctricamente de dicho sustrato (301); teniendo dicha célula amplificadora de potencia (325) un primer tope (311) de célula amplificadora de potencia y un segundo tope (309) de célula amplificadora de potencia; un primer aislante (319) está montado sobre dicho sustrato (301) que soporta dicho segundo conmutador MEM (327) sobre dicho sustrato (301), teniendo dicho segundo conmutador MEM (327) una primera conexión (315) y una segunda conexión (317), estando situadas dicha primera conexión (315) y dicha segunda conexión (317) sobre una superficie inferior de dicho segundo conmutador MEM (327); una primera vía conductora (313) atraviesa verticalmente dicho primer aislante (319) y está conectada a dicha primera conexión (315) desde dicho segundo conmutador MEM (327); dicha primera vía conductora (313) además está conectada a un primer conductor (337), estando dicho primer conductor (337) aislado de dicho sustrato (301) por una primera capa aislante (333); dicho primer conductor (337) está conectado además a dicho primer tope de célula amplificadora de potencia (311); un segundo conductor (335) está aislado de dicho sustrato (301) por una segunda capa aislante (331), estando dicho segundo conductor (335) conectado a una segunda vía conductora (307), atravesando dicha segunda vía conductora (307) un segundo aislante (339), estando conectada dicha segunda vía conductora (307) a un primer miembro de metal (305), estando formado dicho primer miembro de metal (305) sobre la superficie superior de dicho segundo aislante (339) y conectado a una primera entrada a dicho primer conmutador MEM (329); un segundo miembro de metal (303) está conectado a dicho segundo contacto de dicho primer conmutador MEM (329), estando formado dicho segundo miembro de metal (303) sobre la superficie superior de un tercer aislante (323), estando posicionado dicho tercer aislante (323) sobre dicho sustrato (301).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RAYTHEON COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 870 WINTER STREET,WALTHAM, MA 02451-1449.

Inventor/es: TONOMURA,SAMUEL D, ALLISON,ROBERT C, PIERCE,BRIAN M.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 5 de Diciembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR > CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION... > Circuitos impresos (conjuntos consistentes en una... > H05K1/18 (Circuitos impresos asociados estructuralmente con componentes eléctricos no impresos (H05K 1/16 tiene prioridad))
  • SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES > TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS > DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej.... > B81B7/00 (Sistemas de microestructura)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/66 (Adaptaciones para la alta frecuencia)
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