6 inventos, patentes y modelos de SCHWIRTLICH, INGO, DR.

  1. 1.-

    Procedimiento para el tratamiento de material de silicio

    (02/2014)

    Procedimiento para el tratamiento de material de silicio contaminado en superficie presente en una mezcla demateriales tal como piezas de silicio, granulado de silicio inclusive fracciones de plaquitas y/o granulado esféricos,en particular material de silicio con una contaminación superficial de 1 ppb - 1000 ppm, en particular 10 ppm - 1000ppm, con respecto al peso de silicio, que comprende las etapas de procedimiento, en cualquier orden a) retirar material que se adhiere a la superficie del material de silicio mediante tamizado de la mezcla demateriales por medio de una tela de tamiz, b) separar partículas gruesas eléctricamente conductoras de la mezcla de materiales y c) retirar material extraño visualmente perceptible...

  2. 2.-

    Molino de corte

    (10/2013)

    Molino de corte para triturar material de silicio acicular policristalino fracturado que contiene partículas quepresentan una relación de aspecto A1 con 5< A1 ≤ 30 y/o fractura de oblea de Si formada de partículas en forma deplaquetas, caracterizado por que el molino de corte presenta un espacio interior revestido con silicio, carburo de tungsteno y/o materialsintético, por que el molino de corte presenta un cuerpo de rotación configurado como columna de bordesmúltiples que del lado del espacio interior del molino de corte está revestido con silicio o presenta silicio y por queextendidas de manera paralela a los bordes longitudinales del cuerpo de rotación...

  3. 3.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSICIÓN PARA LA FABRICACIÓN DE UN TUBO

    (07/2011)

    Procedimiento para la fabricación de un tubo cristalino a partir de un material como silicio a través de estiramiento del tubo desde una colada , que es generada por medio de la fundición del material alimentado a un crisol de fundición por medio de una calefacción , en el que la colada a traviesa un intersticio capilar que predetermina la geometría del tubo y se proyecta más allá de este intersticio con un menisco de una altura h, que pasa a un germen de cristal que corresponde a la geometría del tubo o bien a una zona marginal inferior de una sección estirada del tubo a fabricar, caracterizado porque la temperatura se ajusta por medio de regulación en zonas...

  4. 4.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR

    (09/2010)

    Procedimiento para la fabricación de una célula solar con la formación de una capa que contenga silicio conteniendo hidrógeno en forma de una capa de pasivación y/o antirreflexión sobre un sustrato consistente en silicio o que lo contenga tal como una oblea o lámina, caracterizado porque, durante la formación de la capa que contiene silicio en forma de SiNxOy con 0 < x =q 1,5 y 0 =q y =q 2, se añaden selectivamente en el mismo una o varias sustancias dopantes de acción catalítica con una concentración C con 1 x 1014 cm-3 =q C =q 1 x 1021 cm-3, que liberan hidrógeno de la capa de SiNxOy y/o afectan a la estructura de la capa para incrementar la liberación de hidrógeno

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO PARA TRANSPORTAR PARTICULAS SOLIDAS DE SILICIO

    (02/2010)

    Procedimiento para el transporte de partículas sólidas de silicio, de geometría irregular, hasta una fusión de silicio, a partir de la cual se fabrica silicio sólido por medio de una cristalización, aportándose a las partículas sólidas de silicio, de geometría irregular, tal como material de silicio quebrado, a modo de primeras partículas sólidas, unas segundas partículas sólidas, que están constituidas por silicio o que lo contiene, de geometría regular, tal como una geometría esférica o una geometría elipsoide, para el transporte por medio de un fluido a través de, al menos, un tubo o de un sistema tubular, que presenta una curvatura o varias curvaturas y/o que presente un codo o varios codos

  6. 6.-

    SILICIO PARA CELULAS SOLARES, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU EMPLEO

    (12/1993)
    Solicitante/s: BAYER AG. Clasificación: H01L31/18, C01B33/02, H01L31/02.

    EL INVENTO ANTES CITADO SE REFIERE A UN SILICIO, CON PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS MEJORADAS, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.