10 inventos, patentes y modelos de KANG,Seung H

  1. 1.-

    Sistema electrónico de baja potencia que usa memoria magnética no volátil

    (05/2015)

    Un sistema informático que comprende: una pluralidad de bloques funcionales , incluyendo cada bloque funcional una unidad funcional , y un bloque de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio, MRAM, acoplado a la unidad funcional, estando configurado el bloque de MRAM para almacenar un estado operativo de la unidad funcional durante un estado de espera del bloque funcional que incluye la unidad funcional; en el que el sistema informático está adaptado para poner uno de los bloques funcionales en un estado de espera cuando otro de los bloques funcionales está en un estado activado.

  2. 2.-

    Control de voltaje de línea de palabras en STT-MRAM

    (12/2014)

    Una memoria de acceso aleatorio magneto-resistente, de fuerza de torsión de transferencia de giro, en adelante denominada STT-MRAM, que comprende: una célula de bits con un empalme de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en en la que la célula de bits está acoplada con una línea de bits y una línea de origen; y un controlador de línea de palabras acoplado con una compuerta del transistor de línea de palabras, en en la que el controlador de línea de palabras está...

  3. 3.-

    Configuración de memoria de acceso aleatorio magnética (MRAM) con patrón uniforme

    (07/2014)

    Una matriz de memoria, que comprende: un patrón de células binarias adyacentes de tamaño uniforme; y caracterizado por comprender: un conjunto de circuitos de distribución de señales configurado para ofrecer un área con un volumen total coincidente con un volumen total de un número entero de las células binarias de tamaño uniforme.

  4. 4.-

    Unión túnel magnética (MTJ) y procedimiento de formación de la misma

    (06/2014)

    Una unión túnel magnética, MTJ, en una memoria magnética de acceso aleatorio, MRAM, que comprende: un primer electrodo y un segundo electrodo ; una barrera túnel entre el primer electrodo y el segundo electrodo ; una capa libre entre el segundo electrodo y la barrera túnel ; y una capa inmovilizada entre el primer electrodo y la barrera túnel ; en la que la capa inmovilizada se extiende más allá de la capa libre en todas las direcciones paralelas a la capa libre y caracterizada porque el área superficial de la capa inmovilizada es al menos un diez por ciento mayor que el área...

  5. 5.-

    Lógica programable por software utilizando dispositivos magnetorresistivos de par de transferencia de espín

    (09/2013)

    Una formación lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de empalme de túnel magnético, MTJ, de par de transferencia deespín, dispuestos en una formación; y una pluralidad de fuentes programables acopladas con los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , caracterizada porque: un primer grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada, un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna de un plano ...

  6. 6.-

    Elemento magnético que utiliza pasivación de pared lateral protectora

    (03/2013)

    Un aparato que comprende: un elemento de unión de túnel magnético (MTJ) que comprende: una primera capa ferromagnética; una segunda capa ferromagnética, y una primera capa aislante dispuesta entre las capas ferromagnéticas primera y segunda; una capa de pasivación de la MTJ que forma paredes laterales protectoras dispuestas adyacentes ala primera capa ferromagnética, a la segunda capa ferromagnética y a la primera capa aislante; una segunda capa de aislamiento dispuesta adyacente a la capa de pasivación de la MTJ yrodeando al elemento de MTJ; un dieléctrico entre niveles...

  7. 7.-

    Celda de memoria y procedimiento de formación de una unión de túnel magnético (MTJ) de una celda de memoria

    (10/2012)

    Una memoria que comprende: un sustrato en un primer plano; una primera conexión metálica que se extiende en un segundo plano, siendo el segundo planosustancialmente perpendicular al primer plano; una primera unión de túnel magnético MTJ que tiene una primera capa , una segunda capa y una tercera capa , estando acoplada la primera capa con la primera conexión metálica de tal modo que la primera capa de la MTJ esté orientada a lo largo del segundo plano,estando también orientadas las capas...

  8. 8.-

    lógica programable por software utilizando dispositivos magnetorresistivos de par de transferencia por rotación

    (07/2012)

    Una matriz lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de unión de túnel magnético de par de transferencia por rotación, MTJ, dispuestos en una matriz; y una pluralidad de fuentes programables acopladas a los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , en la cual un primer grupo de dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada , en la cual un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna deun plano de salida , y una salida de cada fila del plano de entrada está acoplada a un dispositivoMTJ de la al menos una columna del...

  9. 9.-

    MEMORIA MAGNETORRESISTIVA POR PAR DE TRANSFERENCIA DE ESPÍN DE ACCESO ALEATORIO Y PROCEDIMIENTOS DE DISEÑO

    (02/2012)

    Un procedimiento de diseño de una memoria magnetorresistiva por par de transferencia de espín de acceso aleatorio, STT-MRAM, que comprende: la obtención de una curva característica para un transistor de acceso; la determinación de una resistencia de estado0 y una resistencia de estado1 de un elemento de almacenamiento de unión de túnel magnético, MTJ, correspondientes a unos estados primero y segundo de la memoria; la determinación de una tensión de escritura tal que los puntos operativos tanto de las operaciones de escritura del primer estado como del segundo intercepten la curva característica en una región saturada; y la determinación de una tensión de lectura tal que los puntos operativos tanto...

  10. 10.-

    CONTROL DE POTENCIA DE TRANSISTOR DE UNA LÍNEA DE PALABRAS PARA LECTURA Y ESCRITURA EN MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO MAGNETORRESISTIVA DE TRANSFERENCIA DE PAR DE ESPÍN

    (02/2012)

    Una memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de transferencia de par de espín (STT-MRAM) que comprende: una célula de bit que tiene una unión de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en la que la célula de bit está acoplada a una línea de bits y una línea fuente ; caracterizada por un controlador de la línea de palabras acoplado a una compuerta del transistor de línea de palabras, en la que el controlador de la línea de palabras está configurado para proporcionar una primera tensión para una operación de escritura y una segunda...