6 inventos, patentes y modelos de FELTS, JOHN T.

  1. 1.-

    Revestimiento e inspección de recipientes

    (07/2014)

    Un sistema de procesamiento de recipientes para revestir e inspeccionar un recipiente , comprendiendo el sistema un montaje de estación de procesamiento configurado para: llevar a cabo una primera inspección del recipiente en busca de defectos; aplicar un revestimiento a la superficie interior del recipiente después de la primera inspección; llevar a cabo una segunda inspección de la superficie interior del recipiente revestido en busca de defectos después de aplicar el revestimiento; evaluar los datos adquiridos durante la inspección.

  2. 2.-

    Soporte de recipientes

    (12/2013)

    Un soporte de recipientes portátil para un sistema de procesamiento de recipientes y que está adaptado para sostener unrecipiente mientras se reviste la superficie interior del recipiente y se inspecciona en busca de defectos y mientras setransporta el recipiente desde una primera estación de procesamiento hasta una segunda estación de procesamiento delsistema de procesamiento de recipientes, comprendiendo el soporte de recipientes: un puerto de recipientes configurado para asentar una abertura del recipiente y para procesar la superficie...

  3. 3.-

    APARATO PARA TRATAMIENTOS RAPIDOS CON PLASMA Y METODO.

    (03/1997)
    Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Clasificación: C23C16/40, C23C16/54.

    UN APARATO DE TRATAMIENTO DE PLASMA ES UTIL PARA REVESTIR SUBSTRATOS CON PELICULAS FINAS QUE TIENEN UNAS PROPIEDADES DE BARRERA DE VAPOR PARA PROPORCIONES DE DEPOSICION RELATIVAMENTE RAPIDAS. EL APARATO COMPRENDE UNA CAMARA EVACUABLE, UN ELECTRODO CARGADO ELECTRICAMENTE QUE DEFINE UNA SUPERFICIE DE REVESTIMIENTO DE PLASMA DENTRO DE LA CAMARA, Y UN BLINDAJE ESPACIADO UNA DISTANCIA DELTA TRANSVERSAL A LA SUPERFICIE DE REVESTIMIENTO DE PLASMA. DURANTE LOS TRATAMIENTOS DE PLASMA, EL PLASMA SE CONFINA DENTRO DE UNA DISTANCIA DELTA MIENTRAS UN SUBSTRATO SE DESPLAZA A TRAVES DEL PLASMA CONFINADO.

  4. 4.-

    CONTROL DEL PROCESO DE DEPOSICION DE PELICULA DELGADA POR PLASMA.

    (11/1994)
    Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Clasificación: C23C14/34, G01N21/00, C23C14/22, C23C16/44, C23C16/52.

    EN UN PROCESO PARA DEPOSICION DE UNA PELICULA DELGADA EN UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTARTO CON EL USO DE UN PLASMA, DONDE SE CONTROLA LA EMISION OPTICA DEL PLASMA, SE ANALIZA, Y LOS RESULTADOS SE UTILIZAN, PARA CONTROLAR AUTOMATICAMENTE LA NATURALEZA DEL PLASMA, A FIN DE CONTROLAR LAS CARACTERISTICAS DE LA PELICULA DELGADA DEPOSITADA. UN ASPECTO DE LA EMISION QUE SE DETECTA ES LA INTENSIDAD DE CADA UNA DE LAS 2 LINEAS DE EMISION DE BANDAS A LONGITUDES DE ONDA DIFERENTES DE LAS MISMAS ESPECIES DEL PLASMA, ESTANDO RELACIONADAS LAS INTENSIDADES, Y LA RELACION COMPARADA CON UN VALOR CONOCIDO PREDETERMINADO, PARA PROPORCIONAR UNA PELICULA RESULTANTE CON CARACTERISTICAS UNIFORMES Y REPETIDAS. ESTA RELACION TAMBIEN ESTA RELACIONADA CON LA TEMPERATURA ELECTRONICA MEDIA DEL PLASMA, QUE SE PUEDE CALCULAR A PARTIR DE ELLA. ADEMAS, LA INTENSIDAD DE OTRA LINEA DE EMISION DE OTRA DE LAS ESPECIES DEL PLASMA, SE PUEDE MEDIR Y RELACIONAR CON UNA DE LAS INTENSIDADES DE LINEA PRECEDENTES, SI SE DESEA CONTROL ADICIONAL.

  5. 5.-

    METODO PARA DEPOSICION DE OXIDO DE SILICIO MEJORADA POR PLASMA.

    (01/1994)
    Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Clasificación: C23C16/40.

    SE PROPORCIONA UN METODO PARA DEPOSICION DE UNA PELICULA A BASE DE OXIDO DE SILICIO DURA, FLUYENDO CONTROLADAMENTE UNA CORRIENTE GASEOSA, QUE CONTIENE UN COMPUESTO DE ORGANOSILICIO A UN PLASMA, Y DEPOSITANDO UN OXIDO DE SILICIO EN UN SUBSTRATO MANTENIENDO, MIENTRAS, UNA PRESION INFERIOR A 100 (MU) APROXIMADAMENTE DURANTE LA DEPOSICION. EL COMPUESTO DE ORGANOSILICIO SE COMBINA PREFERIBLEMENTE CON OXIGENO Y HELIO, POR LO MENOS UNA PARTE DEL PLASMA SE LIMITA MAGNETICAMNTE, DE MODO PREFERIBLE ADYACENTE A UN SUBSTRATO DURANTE LA DEPOSICION, PREFERIBLEMENTE POR UN MAGNETRON NO EQUILIBRADO. ESTAS PELICULAS A BASE DE OXIDO DE SILICIO SE PUEDEN DEPOSITAR REPRODUCIBLEMENTE EN SUBSTRATOS PEQUEÑOS O GRANDES, TALES COMO VIDRIO, PLASTICO, MINERAL O METAL, CON PROPIEDADES PRESELECCIONADAS.

  6. 6.-

    VAPORIZADOR DE FLUJO CONTROLADO.

    (07/1993)
    Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Clasificación: C23C16/50, C23C16/54.

    UN APARATO DE VAPORIZACION PORPORCIONA FLUJO DE VAPOR CONTROLADO CON PRECISION, PRACTICAMENTE CONTINUO, PARA USOS TALES COMO DEPOSICION DE VAPOR MEJORADA POR PLASMA. EL APARATO DE VAPORIZACION COMPRENDE UN PASADIZO A LO LARGO DEL CUAL HAY UN MEDIO DE BOMBEO , MEDIO DE VAPORIZACION Y MEDIO DE FLUJO , TODOS EN COMUNICACION FLUIDA CON EL PASADIZO. EL MEDIO DE VAPORIZACION VAPORIZA EL LIQUIDO BOMBEADO DEL MEDIO DE BOMBEO Y INCLUYE UNA CAPA SUMIDERO DE CALOR , UNA CAPA CALIENTE , Y UNA PARTE (212A) DEL PASADIZO CONECTADA ENTRE ELLAS. EL APARATO DE VAPORIZACION PUEDE SOSTENER UN TEMPANO DE VAPOR DE ORGANOSILICIO A UNA VELOCIDAD DE FLUJO DE 1-100 SCCM APROXIMADAMENTE DURANTE TANTO TIEMPO COMO SE DESEE.