MEDIO DE CALENTAMIENTO SENSIBLE A LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA BASADO EN MATERIALES DE MOTT.
La presente invención se refiere a medios de calentamiento que permiten una absorción óptima de una radiación electromagnética no ionizante cuya energía o información asociada,
se transforma en calor. El objeto de la invención consiste en una composición y una arquitectura basada en micro y nanopartículas capaces de resonar con la radiación externa. Como entidades sensibles a la radiación, dichas partículas comprenden preferentemente materiales de Mott. En términos de eficiencia, las partículas de materiales de Mott deben dispersarse en una matriz espaciadora cuya carga máxima la determinará de forma exacta el límite de percolación eléctrica del nanocompuesto. La invención puede usarse para generar calor de forma selectiva, para la activación catalítica o como material que evite la propagación de una señal electromagnética.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2015/070270.
Solicitante: UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA..
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: NAVASCUES GARCIA,NURIA, SANTAMARIA RAMIRO,Jesús M, GRACIA BUDRIA,José, ESCUIN MELERO,Miguel, MALLADA VIANA,Reyes.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B82Y25/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano magnetismo, p. ej. magnetoimpedancia, magnetorresistencia anisotrópica, magnetorresistencia gigante o magnetorresistencia de tunelización.
- H01L31/0248 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
- H01L37/00 H01L […] › Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
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