6 patentes, modelos y diseños de SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED

  1. 1.-

    UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA.

    (12/1987)
    Clasificación: H01L27/14.

    DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA. CONSTA DE UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR Y OPTICAMENTE TRANSPARENTE, TAL COMO EL VIDRIO, A TRAVES DEL CUAL LA LUZ PENETRA EN EL DISPOSITIVO; DE UNA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA DISPUESTA EN POSICION CONTIGUA Y EN CONTACTO ELECTRICO CON EL SUSTRATO TRANSPARENTE CONDUCTOR; DE UNA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA DE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL DE LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA, LA CUAL ESTA DISPUESTA EN POSICION CONTIGUA Y EN CONTACTO ELECTRICO CON LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA; DE UNA PELICULA CONDUCTORA DISPUESTA SOBRE LA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA, LA CUAL COMPRENDE UN CONTACTO ELECTRICO POSTERIOR; DE UNA REJILLA COLECTORA DE CORRIENTE EN CONTACTO CON LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA.

  2. 2.-

    UN METODO PARA FORMAR UN CONTACTO OHMICO

    (11/1987)
    Clasificación: H01L21/443.

    METODO PARA LA FORMACION DE UN CONTACTO OHMICO, CON UNA PELICULA DELGADA DE UN COMPUESTO SEMICONDUCTOR DE TIPO P. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE ATACAR QUIMICAMENTE LA SUPERFICIE DE DICHA PELICULA CON UNA SOLUCION ACIDA PARA FORMAR UNA SUPERFICIE RICA EN ELEMENTOS NO METALICOS; DE TRATAR LA SUPERFICIE DE LA PELICULA ATACADA CON ACIDO CON UNA SOLUCION BASICA FUERTE; DE DEPOSITAR SOBRE DICHA SUPERFICIE ATACADA Y TRATADA UNA CAPA METALICA DE COBRE QUE TIENEN UN ESPESOR DE CAPA DE APROXIMADAMENTE 5 D 10C1 NANOMETROS A APROXIMADAMENTE 5 NANOMETROS; Y DE DEPOSITAR SOBRE DICHA CAPA DE COBRE UNA SEGUNDA CAPA DE AL MENOS UN SEGUNDO METAL CONDUCTOR. DE APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA.

  3. 3.-

    METODO DE PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE.

    (10/1987)
    Clasificación: H01L31/18.

    METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE ELECTRICA. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE SUMERGIR EL SUSTRATO EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE UNA ELEVADA DISOLUCION ACIDA QUE TENGA POR LO MENOS UNA CAPA SUPERFICIAL DE TELURIO; DE APLICAR UN VOLTAJE DE GALVANIZADO ENTRE EL ANODO Y EL SUSTRATO QUE FORMA EL CATODO, SIENDO EL VOLTAJE NEGATIVO ENTRE EL CATODO Y EL ELECTRODO DE REFERENCIA STANDARD; Y DE CONTINUAR EL PROCESO DE GALVANIZADO HASTA QUE SE DEPOSITE UNA CAPA DELGADA DE TELURURO DE CADMIO POLICRISTALINA, DE CONDUCTIVIDAD DEL TIPO P. LA CAPA DE TELURURO DE CADMIO DE TIPO P SE SUMERGE EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE UNA ELEVADA DISOLUCION ACIDA DE SULFATO DE CADMIO Y SULFATO SODICO Y SE ELECTROGALVANIZA UNA CAPA DELGADA DE TELURIO DE TIPO P EN DICHA CAPA DE TELURURO DE CADMIO DE TIPO P.

  4. 4.-

    METODO DE PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE.

    (10/1987)
    Clasificación: H01L31/18.

    METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE ELECTRICA. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE SUMERGIR UN SUSTRATO METALICO EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE SULFATO DE CADMIO, EL CUAL SIRVE COMO CATODO; DE PROPORCIONAR UN ANODO EN EL BAÑO QUE TENGA POR LO MENOS UN REVESTIMIENTO EXTERIOR DE TELURIO; DE MANTENER EL BAÑO ELECTROLITICO A UN PH ACIDO; Y DE APLICAR UN VOLTAJE NEGATIVO ENTRE EL CATODO Y EL ELECTRODO DE REFERENCIA STANDARD. EL VOLTAJE CON RELACION AL PH SE SELECCIONA DE TAL FORMA QUE EL TELURURO DE CADMIO DEPOSITADO CONTENGA UNA PROPORCION PREDETERMINADA DE CADMIO A TELURIO, PARA OBTENER UNA CAPA DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD PREDETERMINADA, CONTINUANDOSE LA DEPOSICION HASTA QUE SE DEPOSITE UNA CAPA DE TELURURO DE CADMIO POLICRISTALINA DE ESPESOR PREDETERMINADO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE BARRERA SCHOTTKY.

  5. 5.-

    METODO DE PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE

    (03/1987)
    Clasificación: H01L31/18.

    METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA PARA GENERAR CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE RADIACIONES LUMINOSAS, EN PARTICULAR A PARTIR DE RADIACIONES SOLARES. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, EN UNA FASE INICIAL SE FORMA UN COMPUESTO SEMICONDUCTOR CON UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD SELECCIONADA MEDIANTE DEPOSICION DE UNA CONCENTRACION INCREMENTADA DEL CORRESPONDIENTE ELEMENTO METALICO O NO METALICO, DEPENDIENDO DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD SELECCIONADA; SEGUNDA, EN UNA SEGUNDA FASE DE DEPOSICION ELECTROQUIMICA SOBRE UN ELECTRODO, SE REVISTE EL COMPUESTO SEMICONDUCTOR DE UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE LOS COMPONENTES DE DICHO COMPUESTO SEMICONDUCTOR.

  6. 6.-

    UN METODO DE ELECTROPOSITAR UNA PELICULA DE HG1 X CD X TE SOBRE UN SUBSTRATO CONDUCTOR CON ESTEQUIOMETRIA DE HG CONTROLADA.

    (12/1986)
    Clasificación: C25D9/08.

    METODO PARA ELECTRODEPOSITAR UNA PELICULA DE HG1-XCDXTE SOBRE UN SUSTRATO CONDUCTOR, CON UNA ESTEQUIOMETRIA DE HG CONTROLADA. SE DISPONE UN ELECTROLITO QUE ES 0,1 MOLAR HASTA 1,5 MOLAR EN TIONES CDB2, 10C5 MOLAR HASTA 10C3 MOLAR EN IONES HTEOB2 Y CONTIENE IONES HG2B EN UNA CONCENTRACION SELECCIONADA ENTRE APROXIMADAMENTE 1 Y 20 PPM; IONES HALOGENURO Y UN ACIDO PARA AJUSTAR EL PH DE DICHO ELECTROLITO ENTRE 1 Y 3, OSCILANDO ENTRE 0,01 Y 0,06 LA RELACION MOLAR DE IONES HALOGENURO A ANIONES DERIVADOS DEL ACIDO; Y SE AJUSTA EL POTENCIAL APLICADO ENTRE DICHO ELECTRODO DE REFERENCIA Y EL CATODO, ASI COMO LA CONCENTRACION DE IONES HG2B EN LA SOLUCION DE MANERA TAL QUE SE FORMA EL COMPUESTO HG1-XCDXTE CON ESTEQUIOMETRIA CONTROLADA SOBRE DICHA SUPERFICIE DEL CATODO. EL METODO ES APLICABLE A LA OBTENCION DE PELICULAS DELGADAS DE PROPIEDADES ELECTRONICAS Y OPTICAS CONTROLADAS.