8 patentes, modelos y diseños de SEMIKRON; GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND E.

  1. 1.-

    DISPOSICION DE RECTIFICACION POR SEMICONDUCTORES.

    (07/1976)

    Disposición de rectificación por semiconductores, en la que un cuerpo de material aislante substancialmente plano y una pieza metálica de contacto en forma de placa están apilados de manera coincidente sobre una placa soporte metálica en un taladro central que sirve para su colocación en fila sobre un husillo, con una escotadura correspondiente en dicha placa soporte, y en la que se encuentra dispuesta por lo menos una tableta semiconductora fijada sobre la placa soporte y unida con la pieza de contacto dentro de una abertura excéntrica respecto al taladro central que atraviesa axialmente el cuerpo de material aislante que se encuentra entre la pieza de contacto y la placa soporte, caracterizada porque la placa soporte está...

  2. 2.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LOS TIRISTORES BIDIRECCIONALES.

    (04/1976)
    Clasificación: H01L11/10.

    Resumen no disponible.

  3. 3.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LAS DISPOSICIONES DE SEMICONDUCTORES.

    (03/1976)
    Clasificación: H01L.

    Resumen no disponible.

  4. 4.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LOS CIRCUITOS PARA LA OPTIMIZACION DE LA FUNCION DE LIMITADORES DE SOBRETENSION DE SELENIO.

    (01/1976)
    Clasificación: H02H7/12.

    Resumen no disponible.

  5. 5.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES.

    (01/1976)
    Clasificación: H01L11/10.

    Resumen no disponible.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR UNA MASA DE ENCAPSULACION ELECTRICAMENTE AISLANTE.

    (01/1976)
    Clasificación: H01L23/30.

    Resumen no disponible.

  7. 7.-

    COMPONENTE RECTIFICADOR SEMICONDUCTOR CONTROLABLE.

    (02/1975)
    Clasificación: H01L.

    Componente rectificador semiconductor controlable, con un cuerpo semiconductor monocristalino de cuatro zonas en forma de capas de tipos de conductividad alternativamente opuestos entre si, estando una de sus zonas exteriores prevista como zona del emisor, presentando sus dos zonas exteriores sendos electrodos de contacto para la corriente de carga y la zona de base contigua a la zona del emisor un electrodo de contacto para la corriente de mando, caracterizado porque la zona del emisor, salvo un sector (4a) del borde no contactado, el cual termina con la superficie de la zona de base adyacente, está dispuesto de manera ahondada respecto a dicha superficie, y porque entre el sector (4a) del borde de la zona del emisor y la zona de base adyacente se encuentra un paso p-n substancialmente paralelo respecto a la superficie.

  8. 8.-

    MEJORAS EN LOS PROCEDIMIENTOS DE UNION DE COMPONENTES DE SEMICONDUCTORES

    (11/1972)
    Clasificación: B23K35/28, B23K35/30, H01L21/60, B23K35/24.

    Resumen no disponible.