8 patentes, modelos y diseños de INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW

  1. 1.-

    METODO DE PROGRAMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE MEMORIA.

    (11/2000)
    Inventor/es: VAN HOUDT, JAN, GROESENEKEN, GUIDO, MAES, HERMAN. Clasificación: H01L29/788, G11C16/04, G11C16/06.

    SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA DE CELDAS DE EEPROM PROGRAMABLE QUE CONSTA DE UNA ESTRUCTURA DE PUERTAS DIVIDIDAS EN SERIE CON UN CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO ENTRE LA PUERTA FLOTANTE Y UNA PUERTA DE PROGRAMA ADICIONAL PARA SUMINISTRAR UNA EFICIENCIA DE INYECCION MEJORADA. LA INYECCION DE ELECTRONES SE CONTROLA MEDIANTE UNA PUERTA DE CONTROL EN EL LADO DE LA FUENTE. EL AREA DEL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO SE SELECCIONA CON UN FACTOR DE ACOPLAMIENTO SUBSTANCIAL PARA APLICAR UNA ALTA TENSION A LA PUERTA FLOTANTE DURANTE LA PROGRAMACION DE MANERA QUE SE PRODUZCA UNA INYECCION DE ELECTRONES CALIENTES EN EL PUNTO DE DIVISION EN LA REGION DEL CANAL ENTRE LA PUERTA DE CONTROL Y LA PUERTA FLOTANTE . DE ESTA FORMA PUEDE CONSEGUIRSE UNA PROGRAMACION EN SUBMICROSEGUNDOS A UNA TENSION DE DRENAJE NO MAYOR DE 5 V.

  2. 2.-

    ESTRUCTURA DE TRANSISTOR PARA UTILIZAR EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE MEMORIA BORRABLES Y PROGRAMABLES.

    (02/1997)
    Inventor/es: VAN HOUDT, JAN, GROESENEKEN, GUIDO, MAES, HERMAN. Clasificación: H01L29/788, G11C16/04.

    UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR INCLUYENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR INCLUYENDO UNA REGION FUENTE, UN CANAL Y UNA REGION DE DRENAJE. UNA PUERTA MOVIL DE POLISILICONA SE EXTIENDE SOBRE UNA PORCION DEL CANAL CON UNA FINA CAPA DE OXIDO ENTRE LO MISMO, DICHA ABERTURA TENIENDO UNA EXTENSION , LA CUAL ESTA AISLADA DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR . UNA PUERTA DE CONTROL SE EXTIENDE SOBRE UNA PORCION DE LA PUERTA MOVIL DESDE POR ENCIMA DE LA REGION FUENTE HASTA POR ENCIMA DE LA REGION DE DRENAJE A TRAVES DE UNA CAPA DIELECTRICA DE OXIDO. UNA PUERTA DE PROGRAMA SE EXTIENDE POR ENCIMA DE DICHA EXTENSION DE PUERTA MOVIL A TRAVES DE UNA CAPA DIELECTRICA DE OXIDO, COMO PARA FORMAR UN CAPACITADOR CON DICHA EXTENSION DE PUERTA MOVIL, DICHA PUERTA DE PROGRAMA Y LA PUERTA DE CONTROL TENIENDO BORDES LATERALES ENFRENTADOS UNOS A OTROS DE FORMA ESPACIADA.

  3. 3.-

    DETERMINACION DE UNA PARTE DE IMAGEN EN UN DISPOSITIVO FORMADOR DE IMAGENES DE ESTADO SOLIDO.

    (10/1995)
    Inventor/es: BART, MARCEL HENRIETTA LUDOVICUS DIERICKX. Clasificación: H04N5/335.

    DISPOSITIVO TRANSDUCTOR DE RADIACION QUE CONSTA DE UN CONJUNTO DE PIXELS EN EL QUE UN PIXEL ES LEIDO UNICAMENTE CUANDO LA RADIACION QUE INCIDE SOBRE DICHO PIXEL SOBREPASA UN VALOR DE UMBRAL PREDETERMINADO. UNOS CIRCUITOS CODIFICADORES , CONECTADOS A UNOS COMPARADORES Y A UN ELEMENTO MEDIDOR DE LA RADIACION , PROPORCIONAN UNA REPRESENTACION DIGITAL (X01,X02,X03,X04,XA0 ,Y01,Y02,Y03,Y04,YA0) DE LA PARTE DEL CONJUNTO DE PIXELS, CUYA CANTIDAD DE RADIACION INCIDENTE SOBREPASA DICHO VALOR DE UMBRAL.

  4. 4.-

    METODO PARA LA APLICACION DE UNA CAPA DE MATERIAL SUPERCONDUCTOR Y UN DISPOSITIVO APROPIADO PARA ELLO.

    (08/1995)
    Inventor/es: DENEFFE, KRISTIN, BORGHS, GUSTAAF REGINA. Clasificación: H01L39/24.

    SE DESCRIBE UN METODO EN EL QUE SE PUEDEN APLICAR DIFERENTES CAPAS A SUBSTRATOS A UNA BAJA TEMPERATURA (ALREDEDOR DE 400 TO ES, LA DIFUSION O LAS REACCIONES, ENTRE EL SUBSTRATO Y LAS CAPAS QUE SE LE APLICAN. ADEMAS, SE REALIZA UN TRANSPORTE EFICAZ DE OXIGENO QUE CONTIENE PLASMA SOBRE EL SUBSTRATO A LO LARGO DE LINEAS DE CAMPO MAGNETICO, GENERADAS POR DOS SOLENOIDES, A CAUSA DEL ACOTAMIENTO DE ESE CAMPO MAGNETICO. INCLUSO A UNA PRESION DE SOLO TORR, EL PLASMA SE INFLAMARA. LA PASIVIZACION OPCIONAL DE UNA CAPA SUPERCONDUCTORA USANDO UNA CAPA DE OXIDO PUEDE REALIZARSE SIN EXTRAER OXIGENO DE LA CAPA SUPERCONDUCTORA CUANDO SE PUEDE INTRODUCIR SUFICIENTE OXIGENO EN EL PLASMA.

  5. 5.-

    METODO Y DISPOSITIVO PARA MEDIR LA RADIACION DE TEMPERATURA UTILIZANDO UN PIROMETRO EN DONDE SE UTILIZAN LAMPARAS DE COMPENSACION.

    (10/1994)
    Inventor/es: VANDENABEELE, PETER MICHEL NOEL, MAEX, KAREN IRMA JOZEF. Clasificación: G01J5/00, G01J5/52.

    METODO PARA MEDIR LA RADIACION QUE SE ORIGINA EN UN LADO DE UNA RODAJA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN PIROMETRO EN DONDE LA RADIACION DE COMPENSACION SE PROYECTA SOBRE ESE LADO PARA COMPENSAR LA REFLECTIVIDAD DE LA RODAJA DE MATERIAL Y EN DONDE LA INTENSIDAD DE LA RADIACION DE COMPENSACION SE CONTROLA DEPENDIENDO DE LA CANTIDAD DE RADIACION MEDIDA POR EL PIROMETRO.

  6. 6.-

    UN METODO DE MANEJO DE UNA ESTRUCTURA MOS

    (04/1994)
    Inventor/es: TACK, MARNIX ROGER ANNA. Clasificación: H01L29/66, H01L29/784.

    UNA ESTRUCTURA SOI-NMOS SE ENFRIA EN TAL FORMA QUE SE MANTIENE UNA CARGA EN UNA CAVIDAD DE TAL ESTRUCTURA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO. LAS APLICACIONES COMPRENDEN ELEMENTOS DE MEMORIA.

  7. 7.-

    APARATO PARA PROCESAMIENTO DE LA SEÑAL OPTICA MOSTRANDO OPERACION DE TRANSISTOR.

    (03/1994)
    Inventor/es: VOUNCKX, ROGER ANDRE. Clasificación: G02F1/015, G02F1/29.

    UN APARATO OPTICO PROVISTO DE UNA REGION DE UNION PARA REFLEJAR LA RADIACION QUE VA A SER TRANSMITIDA EN EL APARATO, Y DE UNA COMPUERTA PARA CONTROLAR LA DENSIDAD DE ELECTRONES EN ESA REGION DE UNION, ES RAPIDO Y SIMPLE DE MANUFACTURAR.

  8. 8.-

    ELEMENTO FOTOGRAFICO SEMICONDUCTOR Y UN METODO PARA FABRICAR EL MISMO.

    (02/1994)
    Inventor/es: NIJS, JOHAN FRANCIS ALBERT, DEMESMAEKER, ELS SUZANNE JOSEFA. Clasificación: H01L31/0236, H01L31/052.

    ELEMENTO FOTOGRAFICO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN INTERFAZ ENTRE SUBSTRATO Y CAPA DE CONVERSION, QUE ESTA PROVISTO DE UNA SUPERFICIE REFLECTORA DE LUZ. UN METODO PARA FABRICAR TAL ELEMENTO COMPRENDE LA UNION DIRECTA DE LA CAPA DE CONVERSION SOBRE EL SUBSTRATO.