CIP-2021 : H01S 5/028 : Revestimientos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
H01S 5/028 · · Revestimientos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fuente de luz de semiconductor y procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor.
(14/08/2019) Un procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor que comprende un sustrato , una secuencia de capas dispuesta encima del sustrato que comprenden una capa emisora de luz (6a) y una capa límite superior (6b) dispuesta encima de la capa emisora de luz, una marca de alineación horizontal y áreas de contacto vertical que comprende:
modelar (S102) la secuencia de capas con el fin de formar simultáneamente una franja emisora de luz para definir la fuente de luz de semiconductor, y una franja de alineación que se extiende en paralelo a la misma;
aplicar (S104) una capa de cobertura sobre la secuencia de capas modelada ;
caracterizado por:
eliminar simultáneamente (S106) una primera parte de la capa de cobertura con…
Láser de diodos de alta potencia y procedimiento para la fabricación de un láser de diodos de alta potencia.
(03/04/2019). Solicitante/s: Dilas Diodenlaser GmbH. Inventor/es: KELEMEN,MARC, MORITZ,RUDOLF, GILLY,JÜRGEN, FRIEDMANN,PATRICK.
Láser de diodos de alta potencia con facetas opuestas entre sí, que están construidas respectivamente de un sistema de capas que comprende varias capas amorfas compuestas de silicio y carbono, que contiene tanto una capa de pasivación como también varias capas funcionales que determinan la reflexión, donde los índices de refracción de la capa de pasivación y de las capas funcionales están ajustados a través de un contenido de carbono variable.
PDF original: ES-2733806_T3.pdf