Sensor de RFID de onda acústica de superficie para accesorios ponibles hemodinámicos.

Un chip de sensor de identificación por radiofrecuencia (RFID) de onda acústica de superficie (SAW) que comprende:

(a) un sustrato piezoeléctrico (101), comprendiendo dicho sustrato una capa piezoeléctrica y una estructura de heterounión multicapa, estando dicha estructura hecha de capas semiconductoras monocristalinas o policristalinas III-V, depositada sobre dicha capa piezoeléctrica y comprendiendo al menos una capa separadora y al menos una capa de barrera, estando dichas capas apiladas de forma alterna;

(b) al menos un par de transductores interdigitados (IDT) de metal (100) montados sobre dicho sustrato piezoeléctrico (101), para recibir una señal de entrada de radiofrecuencia (RF), transducir dicha señal de entrada a una onda acústica de superficie (SAW), propagar dicha onda acústica de superficie a lo largo de una superficie de dicho sustrato piezoeléctrico (101) y transducir dicha onda acústica de superficie propagada a una señal de RF de salida;

(c) al menos una estructura de gas de electrones bidimensional (2DEG) o de gas de huecos bidimensional (2DHG) normalmente activa o normalmente inactiva (103) depositada sobre dicho sustrato piezoeléctrico (101) para formar un canal conductor de 2DEG o 2DHG normalmente activo o normalmente inactivo en dicha estructura de heterounión multicapa en la superficie de separación entre dicha capa separadora y dicha capa de barrera;

(d) al menos una estructura de gas de electrones bidimensional (2DEG) o de gas de huecos bidimensional (2DHG) pseudoconductora (102) depositada sobre dicho sustrato piezoeléctrico (101) para formar un canal de 2DEG o 2DHG pseudoconductor en dicha estructura de heterounión multicapa en la superficie de separación entre dicha capa separadora y dicha capa de barrera; y

(e) metalizaciones eléctricas acopladas capacitivamente a dichos IDT (100), a dichas estructuras de 2DEG o 2DHG normalmente activas o normalmente inactivas (103) y a dichas estructuras de 2DEG o 2DHG pseudoconductoras (102) para inducir corrientes de desplazamiento, creando así unos contactos de fuente y de drenador no óhmicos, para conectar dicho chip de sensor a un circuito eléctrico;

caracterizado por que:

(i) dichas capas semiconductoras mono o policristalinas III-V son de GaN/AlGaN; y

(ii) dicha estructura de 2DEG o 2DHG pseudoconductora (102) es una estructura semiconductora formada sobre dicho sustrato piezoeléctrico (101) al rebajar o hacer crecer una capa de arriba de dicha estructura de heterounión multicapa hasta un espesor de 5-9 nm, siendo una rugosidad superficial de la capa de arriba rebajada o hecha crecer de 0,2 nm o menos, formando así el canal de 2DEG o 2DHG pseudoconductor capaz de conducir corriente eléctrica en el rango de corriente entre los modos de funcionamiento normalmente activo y normalmente inactivo del canal.