Láser de disco semiconductor con auto bloqueo de modos.
Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos, el láser (1, 29,
30) comprendiendo un resonador (2, 2b, 2c) que termina en un primer (3) y un segundo (4) espejo y plegado por un tercer espejo (17), el tercer espejo (17) coronado por un medio (18) de ganancia semiconductor de múltiples capas que incluye al menos una capa de pozo cuántico, y una capa (22) de lente Kerr óptica.
caracterizado por que
la longitud del resonador (2, 2b, 2c) se selecciona de tal manera que un tiempo de desplazamiento de ida y vuelta de un modo (26) de la cavidad se corresponde con un tiempo de vida del nivel superior de uno o más portadores de semiconductores situados dentro del medio (18) de ganancia para introducir una perturbación en una intensidad de un campo (14) de salida del láser (1, 29, 30) causando que la capa (22) de lente Kerr óptica induzca el bloqueo de modos de la lente Kerr del campo (14) de salida del láser (1, 29, 30).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2013/050799.
Solicitante: Solus Technologies Limited.
Inventor/es: HAMILTON, CRAIG JAMES, MALCOLM,GRAEME PETER ALEXANDER, KORNASZEWSKI,LUKASZ.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/08 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › Construcción o forma de resonadores ópticos o de sus componentes.
- H01S3/081 H01S 3/00 […] › con más de dos reflectores.
- H01S3/094 H01S 3/00 […] › por luz coherente.
- H01S3/11 H01S 3/00 […] › en los que el factor de calidad del resonador óptico es cambiado rápidamente, es decir, técnica de impulsos gigantes.
- H01S5/024 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Disposiciones para el control térmico.
- H01S5/04 H01S 5/00 […] › Procesos o aparatos para la excitación, p. ej. bombeo (H01S 5/06 tiene prioridad).
- H01S5/065 H01S 5/00 […] › Acoplamiento de modos ("mode locking"); Supresión de modos; Selección de modos.
- H01S5/14 H01S 5/00 […] › Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).
- H01S5/183 H01S 5/00 […] › que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].
PDF original: ES-2811531_T3.pdf
Reivindicaciones:
1. Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos, el láser (1, 29, 30) comprendiendo un resonador (2, 2b, 2c) que termina en un primer (3) y un segundo (4) espejo y plegado por un tercer espejo (17) , el tercer espejo (17) coronado por un medio (18) de ganancia semiconductor de múltiples capas que incluye al menos una capa de pozo cuántico, y una capa (22) de lente Kerr óptica.
caracterizado por que
la longitud del resonador (2, 2b, 2c) se selecciona de tal manera que un tiempo de desplazamiento de ida y vuelta de un modo (26) de la cavidad se corresponde con un tiempo de vida del nivel superior de uno o más portadores de semiconductores situados dentro del medio (18) de ganancia para introducir una perturbación en una intensidad de un campo (14) de salida del láser (1, 29, 30) causando que la capa (22) de lente Kerr óptica induzca el bloqueo de modos de la lente Kerr del campo (14) de salida del láser (1, 29, 30) .
2. Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos según se reivindica en la reivindicación 1, en donde la capa (22) de lente Kerr óptica comprende un disipador de calor montado sobre el medio (18) de ganancia semiconductor. 3. Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos según se reivindica en cualquiera de las reivindicaciones 1 o 2, en donde el resonador (2, 2b, 2c) además comprende un diafragma (9) de abertura con una abertura situada en el mismo.
4. Un láser con auto bloqueo de modos según se reivindica en la reivindicación 3, en donde el diafragma (9) de abertura se sitúa adyacente al segundo espejo (4) .
5. Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos según se reivindica en cualquiera de las reivindicaciones precedentes en donde el resonador (2, 2b, 2c) es plegado adicionalmente por un cuarto espejo (6) , el cuarto espejo (6) estando situado entre el segundo (4) y tercer espejo (17) .
6. Un láser (1, 29) con auto bloqueo de modos según se reivindica en la reivindicación 5 en donde el resonador (2, 2b) es plegado adicionalmente por un quinto espejo (7) , el quinto espejo (7) estando situado entre el segundo (4) u el cuarto (6) espejo.
7. Un láser (1) con auto bloqueo de modos según se reivindica en la reivindicación 6 en donde el resonador (2) es plegado adicionalmente por un sexto espejo (8) , el sexto espejo (8) estando situado entre el segundo (4) y el quinto (7) espejo.
8. Un láser (1, 29, 30) con auto bloqueo de modos según se reivindica en cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en donde el resonador comprende además un controlador (6) de astigmatismo que proporciona un medio para introducir astigmatismo en el modo (26) de la cavidad en el medio (18) de ganancia, y el resonador (2, 2b, 2c) está configurado de tal manera que la capa de lente Kerr actúa para compensar el astigmatismo introducido en el modo (26) de la cavidad.
9. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1, 29, 30) donde el método comprende
- proporcionar un resonador (2, 2b, 2c) que termina en un primer (3) y un segundo (4) espejo, y plegado por un tercer espejo (17) , el tercer espejo (17) coronado por un medio (18) de ganancia semiconductor que incluye al menos una capa de pozo cuántico, y una capa (22) de lente Kerr óptica; y
caracterizado por que
- la longitud del resonador (2, 2b, 2c) se selecciona de tal manera que el tiempo de desplazamiento de ida y vuelta de un modo (26) de la cavidad se corresponde con un tiempo de vida del nivel superior de uno o más portadores de semiconductores situados dentro del medio (18) de ganancia para introducir una perturbación en una intensidad de un campo (14) de salida del láser (1, 29, 30) , causando que la capa (22) de lente Kerr óptica induzca el modo de bloqueos de lente Kerr del campo (14) de salida del láser (1, 29, 30) .
10. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1, 29, 30) según se reivindica en la reivindicación 9 en donde el método además comprende situar un diafragma (9) de abertura con una abertura situada en el mismo dentro del resonador (2, 2b, 2c) .
11. Un método de auto bloqueo de modos de un láser según se reivindica en la reivindicación 10 en donde el diafragma (9) de abertura se sitúa adyacente al segundo espejo (4) .
12. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1, 29, 30) , según se reivindica en cualquiera de las reivindicaciones 9 o 10, en donde el método además comprende plegar el resonador (2, 2b, 2c) proporcionando un cuarto espejo (6) entre el segundo (4) y el tercer (17) espejos.
13. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1, 29) según se reivindica en la reivindicación 12, en donde el método además comprende plegar el resonador (2, 2b) proporcionando un quinto espejo (7) entre el segundo (4) y el cuarto (6) espejo.
14. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1) según se reivindica en la reivindicación 13, en donde el método además comprende plegar el resonador (2) proporcionando un sexto espejo (8) entre el segundo (4) y quinto (7) espejo.
15. Un método de auto bloqueo de modos de un láser (1, 29, 30) según se reivindica en cualquiera de las reivindicaciones 9 a 14, en donde el método además comprende introducir astigmatismo en el modo (26) de la cavidad en el medio (18) de ganancia, y configurar el resonador (2, 2b, 2c) de tal manera que la capa de lente Kerr actúe para compensar el astigmatismo introducido en el modo (26) de la cavidad.
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