Detector de radiación y procedimiento para producir el mismo.

Detector de radiación (100) que comprende:

a) una estructura de antena (10);

y

b) una estructura de transistor de efecto de campo, FET (20) con una región de fuente (24), una región de compuerta (26) y una región de drenaje (28),

c) estando dispuestas estas regiones (24, 26, 28) sobre un sustrato (70) y formando estructuras de electrodo eléctricamente conductoras (34, 36, 38) independientes entre sí a través de metalización;

caracterizado porque

d) la estructura de electrodo de compuerta (36) envuelve completamente la estructura de electrodo de fuente (34) o la estructura de electrodo de drenaje (38) en un primer plano (E1);

e) la estructura de electrodo envuelta (34, 38) se extiende hasta por encima de la estructura de electrodo de compuerta (36) y allí se solapa con la envoltura en un segundo plano (E2) por encima del primer plano (E1) al menos en secciones en superficie;

f) en el que está dispuesta una región eléctricamente aislante (42) para formar un condensador (40) con una estructura de metal-aislante-metal, MIM, entre las regiones de la estructura de electrodo de compuerta (36) con las que se solapa la estructura de electrodo envuelta (34, 38).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2018/050501.

Solicitante: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V..

Inventor/es: RÄMER,ADAM, SHEVCHENKO,SERGEY.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L29/04 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
  • H01L31/02 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Detalles.
  • H01L31/112 H01L 31/00 […] › caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.
  • H01Q1/22 H01 […] › H01Q ANTENAS, es decir, ANTENAS DE RADIO (elementos radiantes o antenas para el calentamiento por microondas H05B 6/72). › H01Q 1/00 Detalles de dispositivos asociados a las antenas (dispositivos para hacer variar la orientación de un diagrama direccional H01Q 3/00). › por asociación estructural con otros equipos u objetos.
  • H01Q23/00 H01Q […] › Antenas que tienen circuitos o elementos de circuito activos que están integrados o ligados a ellos.
  • H01Q9/28 H01Q […] › H01Q 9/00 Antenas eléctricamente cortas teniendo unas dimensiones no superiores a dos veces la longitud de onda y estando constituidas por elementos radiantes conductores activos. › Elementos cónicos, cilíndricos, en forma de jaula, de cinta, de enrejado o elementos análogos que tienen una superficie de radiación extendida; Elementos que comprenden dos superficies cónicas que tienen ejes colineales y vértices adyacentes, estando alimentados por líneas de transmisión de dos conductores (cuernos o bocas de guías de ondas H01Q 13/00; antenas de ranura H01Q 13/00).

PDF original: ES-2822275_T3.pdf

 

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