Método para formar depósitos de soldadura sobre sustratos.
Un método de formación de un depósito de soldadura sobre un sustrato,
que comprende las siguientes etapas:
a. proporcionar un sustrato que incluye una superficie de cobre o de aleación de cobre (101) que incluye al menos un adaptador de contacto de capa interna (102)
b. formar una abertura (104) para el al menos un adaptador de contacto de capa interno (102) que se extiende a través de la superficie de cobre (101)
c. poner en contacto la totalidad de la superficie de sustrato que incluye la abertura (104) y el al menos un adaptador de contacto de capa interno (102) con una solución adecuada para proporcionar una capa conductora (105) sobre la superficie de sustrato,
d. depositar y modelar una capa de material resistente (106) mediante lo cual se expone el al menos un adaptador de contacto de capa interno (102),
e. electrodepositar en las aberturas (104) una capa de depósito de soldadura (108) que consiste en estaño o aleación de estaño
f. eliminar la capa de material resistente (106)
g. eliminar mediante ataque químico la capa conductora (105) desnuda la cual no está cubierta por una capa de depósito de soldadura (108) y la superficie de cobre o de aleación de cobre (101) por debajo de dicha capa conductora (105) la cual no está cubierta por una capa de estaño o de aleación de estaño en donde la capa de depósito de soldadura (108) tiene la función del material resistente al ataque químico,
h. aplicar una capa de material resistente a la soldadura (112) y formar unas aberturas de material resistente a la soldadura (113) para exponer la capa de depósito de soldadura (108).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/060580.
Solicitante: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: ERASMUSSTRASSE 20 10553 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: LAMPRECHT, SVEN, MATEJAT, KAI-JENS, EWERT,INGO, KENNY,STEPHEN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/48 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
- H01L23/498 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
PDF original: ES-2565214_T3.pdf
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