Batería secundaria de electrolito no acuoso y lámina de electrodo positivo de la misma.
Una batería secundaria de electrolito no acuoso que tiene un cátodo y un ánodo dispuestos en oposición uno de otro y una capa de electrolito colocada entre los mismos;
en la que el cátodo comprende:
(a) un polímero conductor y
(b) al menos uno seleccionado del grupo que consiste en un ácido policarboxílico y una sal metálica del mismo,
en la que el ánodo comprende un material en el que un metal básico o iones de los mismos se pueden insertar y del que se pueden extraer un metal básico o iones de los mismos; y en la que el polímero conductor es un polímero que tiene como dopante al menos un anión de ácido protónico seleccionado del grupo que consiste en aniones de ácidos inorgánicos, aniones de ácido sulfónico alifático, aniones de ácido sulfónico aromático, aniones de ácido sulfónico polimérico y aniones de ácido polivinilsulfúrico.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2012/067032.
Solicitante: NITTO DENKO CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 1-2, Shimohozumi 1-chome Ibaraki-shi, Osaka 567-8680 JAPON.
Inventor/es: ABE, MASAO, OTANI,AKIRA, KAWASHIMA,YUJIRO, UETANI,YOSHIHIRO, TAKE,HIROYOSHI, KISHII,YUTAKA, MATSUURA,AIMI, KAJISA,YUKI, ANDO, YOHEI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01M10/052 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01M PROCEDIMIENTOS O MEDIOS, p. ej. BATERÍAS, PARA LA CONVERSION DIRECTA DE LA ENERGIA QUIMICA EN ENERGIA ELECTRICA. › H01M 10/00 Células secundarias; Su fabricación. › Acumuladores a litio.
- H01M10/0566 H01M 10/00 […] › Materiales líquidos.
- H01M4/137 H01M […] › H01M 4/00 Electrodos. › Electrodos a base de polímeros electroactivos.
- H01M4/60 H01M 4/00 […] › de compuestos orgánicos.
- H01M4/62 H01M 4/00 […] › Empleo de sustancias específicas inactivas como ingredientes para las masas activas, p. ej. aglomerantes, cargas.
PDF original: ES-2570204_T3.pdf
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