DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ELECTRO-OPTICOS Y METODO PARA FABRICARLOS.

Un dispositivo semiconductor electroóptico (2) que comprende una guía (14) de ondas semiconductora con una región (12) de núcleo dentro de la cual está situada al menos un área activa (31,

31) caracterizada porque: el núcleo (12) de la guía (14) de ondas fuera del área o las áreas activas (31, 31) no está contaminado por material de área activa difuso; el área o las áreas activas (31, 31) y la guía (14) de ondas son monolíticas; y el área o las áreas activas (31, 31) y la guía (14) de ondas se desarrollan mediante un procedimiento de desarrollo aditivo sin operación intermedia alguna en la que se elimine material.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: DEFENCE EVALUATION AND RESEARCH AGENCY, IVELY ROAD,FARNBOROUGH, HAMPSHIRE GU14.

Inventor/es: MARTIN, TREVOR, KANE, MICHAEL JOHN.

Fecha de Publicación: 1 de Julio de 2003.

Fecha Solicitud PCT: 15 de Julio de 1999.

Fecha Concesión Europea: 26 de Febrero de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L27/15 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz.
H01L31/12 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).
H01S5/026 H01 […] › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Componentes integrados monolíticamente, p. ej. guías de ondas, fotodetectores de monitorización, dispositivos para la excitación (estabilización de la salida del láser H01S 5/06).
H01S5/343 H01S 5/00 […] › en compuestos A III B V , p. ej. láser de AlGaAs.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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