PROCESO Y DISPOSITIVO PARA LA DETERMINACION AUTOMATICA DE LA ALTA TENSION NECESARIA PARA LA PROGRAMACION/BORRADO DE UNA EEPROM.
MEDIANTE EL PROCESO DE ACUERDO CON LA INVENCION ES POSIBLE DETERMINAR,
INDIVIDUALMENTE PARA CADA MEMORIA DE SEMICONDUCTOR DE VALOR FIJO, PROGRAMABLE Y BORRABLE ELECTRICAMENTE (SP), LA ALTA TENSION NECESARIA (VPP) PARA EL BORRADO Y LA PROGRAMACION, Y GRABARLA EN LA MISMA MEMORIA (SP), EN UNA ZONA A PREVISTA PARA ELLO. DESDE ALLI PUEDE LEERSE ESTA ALTA TENSION DETERMINADA, PARA CADA PROCESO DE BORRADO O PROGRAMACION ADICIONAL. A PARTIR DE UN PRIMER VALOR DE ALTA TENSION PARA PROGRAMACION O BORRADO DE LA MEMORIA Y UN PRIMER VALOR DE LA TENSION DE LECTURA, PARA COMPROBAR EL PROCESO DE PROGRAMACION O BORRADO, SE DETERMINA LA ALTA TENSION MAS ADECUADA MEDIANTE VARIACIONES SUCESIVAS DE LA ALTA TENSION O DE LA TENSION DE LECTURA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: SEDLAK, HOLGER, VIEHMANN, HANS-HEINRICH.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 4 de Noviembre de 1996.
Fecha Concesión Europea: 9 de Junio de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
- G11C29/00 G11C […] › Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby").
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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