CIRCUITO INTEGRADO CON UN CONTACTO DE SILICIO A SILICIURO.
SE PRESENTA UN METODO PARA LA PRODUCCION DE CONTACTOS A UNA CAPA DE SILICIURO METALICO (5) EN UN CIRCUITO INTEGRADO.
NORMALMENTE SE UTILIZA SILICIO POLICRISTALINO, PERO SE HA DESCUBIERTO QUE ENTONCES SE FORMAN PICOS. SEGUN LA PRESENTE INVENCION SE DEPOSITA UNA CAPA (11) DE SILICIO AMORFO (O=SI) A UNA TEMPERATURA INFERIOR A LA TEMPERATURA DE RECRISTALIZACION (QUE ES DE 575 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE) Y A CONTINUACION SE INTRODUCE UN AGENTE IMPURIFICADOR (EJ. P) QUE TENGA EL PICO DE SU DISTRIBUCION ESPECIAL DENTRO DE LA CAPA, SEPARADO DE LAS INTERCONEXIONES. SE DESCUBRIO QUE SE FORMARON PICOS, PERO CUANDO LA TEMPERATURA DE DEPOSICION ERA INFERIOR A 550 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE NO SE OBSERVO NINGUNO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 23 de Octubre de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/90
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