METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO O SILICIO EN UN PROCESO CVD NO AUTO LIMITADO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FABRICADO CON EL.

UN METODO PARA DEPOSITAR TUNGSTENO SOBRE UN SUBSTRATO UTILIZANDO REDUCCION DE SILICIO,

EN DONDE EL PROCESO NO ES LIMITATIVO CON RELACION AL ESPESOR DEL SILICIO QUE PUEDE SER CAMBIADO POR EL TUNGSTENO. SE PROVEE UN SUBSTRATO DE SILICIO CON AL MENOS UN AREA DE SILICIO TENIENDO ESPESOR PREDETERMINADO Y SE EXPONE EL SUBSTRATO A UN FLUJO DE GAS DE HEXAFLUORURO DE TUNGSTENO EN UN ENTORNO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR. AJUSTANDO EL NIVEL DE FLUJO DE GAS WF6 Y LOS PARAMETROS DEL PROCESO CVD, TALES COMO PRESION, TEMPERATURA Y TIEMPO DE DEPOSICION, EL ESPESOR DEL SILICIO CAMBIADO POR EL TUNGSTENO SE PUEDE AJUSTAR DE ACUERDO PARA CAMBIAR TODO EL ESPESOR. UNA NUEVA ESTRUCTURA TENIENDO UN PUENTE DE TUNGSTENO SEMIENDIDO Y TAMBIEN SE DESCUBREN FUENTE DE TUNGSTENO Y CAPAS DE DRENAJE METALIZADAS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: JOSHI, RAJIV V.

Fecha de Publicación: 1 de Noviembre de 1994.

Fecha Concesión Europea: 17 de Agosto de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/04 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
C23C16/14 C23C 16/00 […] › Deposición de solo otro elemento metálico.
H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L21/90
H01L29/76 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos unipolares.

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