UN METODO PARA FORMAR UNA REGION DE DIMENSION ESTRECHA EN UN CUERPO DE SILICIO.
Un método para formar una región de dimensión estrecha en un cuerpo de silicio,
que comprende las etapas de: disponer un cuerpo de silicio, formar en dicho cuerpo unas regiones dotadas de superficies substancialmente horizontales y superficies substancialmente verticales, formar una capa tanto en dicha superficie substancialmente horizontal como en dicha superficie substancialmente vertical, y atacar químicamente dicha capa con iones reactivos, con el fin de eliminar substancialmente dicha capa horizontal y habilitar dicha región de dimensión estrecha en dicho cuerpo de silicio.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK N.Y.10504.
Fecha de Solicitud: 1 de Noviembre de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Septiembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/033 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › incluyendo capas inorgánicas.
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