UN PROCESO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
PROCESO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. COMPRENDE UNA PRIMERA ETAPA DE PREDEPOSICION E INTRODUCCION FORZADA POR DIFUSION DE MATERIAL IMPURO DE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD EN UN SUSTRATO DE OTRO TIPO DE CONDUCTIVIDAD EN EL MISMO,
Y UNA SEGUNDA ETAPA DE PREDEPOSICION Y FORMACION POR DIFUSION DE MATERIAL IMPURO, PARA FORMAR UNA REGION SEPARADA DEL BORDE DEL DEPOSITO POR UNA ZONA DE CANAL. DICHA ZONA DE CANAL ESTA FORMADA BAJO UNA PUERTA DE POLISILICIO QUE, AL MENOS, DURANTE LA PRIMERA ETAPA DE FORMACION ESTA CUBIERTA POR UNA CAPA DE NITRITO DE SILICIO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: STANDARD ELECTRICA, S.A..
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Fecha de Solicitud: 27 de Junio de 1984.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 23 de Mayo de 1985.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/033 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › incluyendo capas inorgánicas.
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